[发明专利]具有抗反射涂层的集成电路无效
申请号: | 200680052705.1 | 申请日: | 2006-12-11 |
公开(公告)号: | CN101371350A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 贾森·迈克尔·奈德理奇 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反射 涂层 集成电路 | ||
技术领域
本发明大体上涉及一种用于集成电路的方法和材料,且更明确地说,涉及一种用于 在集成电路上形成抗反射涂层的方法和材料。
背景技术
采用图像投影技术的图像显示器系统可由于从不希望反射光的阵列部分反射用于 投影图像的光而遭受降低的对比度(可产生的最亮白与最暗黑的比率),所述图像显示 器系统例如为使用数字微镜装置(DMD)、可变形镜、硅基液晶等阵列的空间光调制器 (SLM)。光可从来自光调制器阵列的支撑结构、小孔、通孔等散射。所散射的光可有效 地降低最暗黑的暗度,因而降低对比度。举例来说,在使用DMD技术的SLM中,光可 从电极结构、微镜支撑结构、镜通孔等散射。
一种用以降低反射的技术是在光调制器阵列中的金属结构上放置抗反射涂层。由于 衬底和下伏结构可以是主要的非想要的反射源,所以使用抗反射涂层可显著改进对比 度。举例来说,未经涂覆的铝可具有高达92%的反射率,而经涂覆的铝可具有少达约2% 到3%的反射率。
可用以降低非想要的反射的第二种技术是在集成电路的衬底上放置涂层,例如抗反 射涂层。所述涂层可覆盖衬底以及形成于所述衬底中的任何下伏结构,且有助于降低光 反射率。
现有技术的在衬底和下伏结构以及金属结构上施加抗反射涂层的一个缺点是,抗反 射涂层将具有不同反射率特征,其取决于入射在抗反射涂层上的光的波长。因此,可难 以形成可对不同光波长均良好起作用的单个抗反射涂层。这可导致使用作为折衷方案的 抗反射涂层,且得到不能产生最佳性能的解决方案。
现有技术的第二缺点是,由于抗反射涂层的反射率特征可依据入射光的波长而改 变,所以可能的是,使用抗反射涂层可在显示器系统的色点中具有不合需要的变化。这 可以是由于某些光波长与其它光波长相比以更大比例进行反射而引起的。
现有技术的又一缺点是,抗反射层可具有不均匀厚度的问题。不均匀的厚度可能导 致不均匀的反射特性。
发明内容
通过本发明的实施例解决这些和其它问题,且大体上实现技术优点,本发明提供一 种用于集成电路中的抗反射涂层的方法和材料。
根据本发明的优选实施例,提供一种抗反射涂层。所述抗反射涂层包括上覆于反射 表面的暗聚合物材料。通过粗糙化暗聚合物材料的顶部表面来增强暗聚合物材料的抗反 射性质。
根据本发明的另一优选实施例,提供一种用于形成抗反射涂层的方法。所述方法包 括在反射表面上施加暗聚合物材料且固化所述暗聚合物材料。所述方法还包括粗糙化所 述暗聚合物材料的顶部表面。
根据本发明的另一优选实施例,提供一种集成电路。所述集成电路包括含有晶体管 和导体的衬底以及光调制器阵列。所述集成电路还包括覆盖所述衬底的抗反射涂层;所 述抗反射涂层由暗聚合物基质形成。所述光调制器阵列适于基于图像数据而调制光,以 在显示器面板上显示所述图像数据。
本发明的优选实施例的优点是,使用标准的易于得到的材料和制作工艺,所以本发 明的实施可为廉价的且不需要投资新的制造工艺或专门技术。因此,本发明的产品成本 将不会显著增加。
本发明的优选实施例的另一优点是,本发明的反射率特征可显著低于先前所使用的 技术的反射率特征。这可产生具有较好性能特征的产品。
附图说明
图1a和1b是示范性SLM系统和光调制器阵列的图;
图2a和2b是根据本发明优选实施例的在反射表面上形成抗反射层的事件序列的 图;
图3a到3f是根据本发明优选实施例的在反射表面上施加暗聚合物基质、具有暗聚 合物基质涂层的光调制器阵列、涂覆有暗聚合物基质的光调制器的有源区域(active area) 的横截面图和光调制器阵列的俯视图的图;
图4是根据本发明优选实施例的具有和不具有灰化处理的暗聚合物基质的反射率的 数据曲线图的图。
图5a和5b是根据本发明优选实施例的在灰化处理之前和之后的暗聚合物基质的表 面的图;且
图6是根据本发明优选实施例的具有不同灰化处理时间的多种暗聚合物基质的反射 率的数据曲线图的图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造