[发明专利]抗反射涂料

权利要求书

1.一种在电子器件上形成抗反射涂层的方法，该方法包括：

(A)施加ARC组合物到电子器件上，所述ARC组合物包含：

(i)具有下述通式的倍半硅氧烷树脂：

(PhSiO_(3-x)/2(OH)_x)_mHSiO_(3-x)/2(OH)_x)_n(MeSiO_(3-x)/2(OH)_x)_p

其中Ph是苯基，Me是甲基，x的数值为0、1或2；m的数值为 0.01-0.99，n的数值为0.01-0.99，p的数值为0.01-0.99，和m+n+p ≈1；

(ii)聚环氧乙烷流体，其通式为R¹(CH₂CH²O)_zR²，其中R¹和R²独立地选自H或具有1-3个碳原子的烃基，不饱和烃基，和乙酰基 (CH₃CO-)，和z使得PEO流体的分子量典型地为50-5000g/mol；和

(iii)溶剂；和

(B)除去溶剂并固化所述倍半硅氧烷树脂，以在电子器件上形成抗 反射涂层。

2.权利要求1的方法，其中m的数值为0.05-0.5，n的数值为 0.1-0.7，和p的数值为0.1-0.7。

3.权利要求1的方法，其中在倍半硅氧烷树脂内6-38mol％的单元 含有Si-OH基。

4.权利要求1的方法，其中溶剂(iii)是丙二醇甲醚乙酸酯。

5.权利要求1的方法，其中基于ARC组合物的重量，ARC组合物 含有80-95wt％的溶剂(iii)。

6.权利要求1的方法，其中通过在200-250℃的温度下加热来固 化倍半硅氧烷树脂。

7.一种在电子器件上形成抗反射涂层的方法，该方法包括：

(A)施加ARC组合物到电子器件上，所述ARC组合物包含：

(i)具有下述通式的倍半硅氧烷树脂：

(PhSiO_(3-x)/2(OH)_x)_mHSiO_(3-x)/2(OH)_x)_n(MeSiO_(3-x)/2(OH)_x)_p

其中Ph是苯基，Me是甲基，x的数值为0、1或2；m的数值为 0.01-0.99，n的数值为0.01-0.99，p的数值为0.01-0.99，和m+n+p ≈1；

(ii)聚环氧乙烷流体，其通式为R¹(CH₂CH²O)_zR²，其中R¹和R²独立地选自H或具有1-3个碳原子的烃基，不饱和烃基，和乙酰基 (CH₃CO-)，和z使得PEO流体的分子量典型地为50-5000g/mol；和

(iii)溶剂；和

(B)除去溶剂并固化所述倍半硅氧烷树脂，以在电子器件上形成抗 反射涂层；和

(C)在抗反射涂层上形成抗蚀剂图像。

8.权利要求7的方法，其中通过下述步骤形成抗蚀剂图像：

(a)在抗反射涂层之上形成抗蚀剂组合物的膜；

(b)成影像地曝光抗蚀剂膜于辐射线下，以产生曝光的膜；

(c)使曝光的膜显影，以产生图像。