[发明专利]用于线负载补偿和反射减少的反馈电路无效
申请号: | 200680052982.2 | 申请日: | 2006-12-06 |
公开(公告)号: | CN101432688A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | L·维斯顿;R·H·欣克森;D·莫尔 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G06F7/38 | 分类号: | G06F7/38;H03K19/094;H03K19/173 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王 岳;王小衡 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 负载 补偿 反射 减少 反馈 电路 | ||
1.一种用于在信号传送电路中提供线负载补偿和反射减少的反馈支电路,所述反馈支电路包括:
反馈电容器;以及
至少一个与所述反馈电容器以串行相连接的电阻器,所述反馈电容器和所述电阻器的上升/下降时间等于位传输时间的分数值,所述传输位时间取决于波特率和最大传输线长。
2.如权利要求1所述的反馈支电路,其中所述信号传送电路是差分驱动电路。
3.如权利要求1所述的反馈支电路,其中所述分数值等于所述位传输时间的1/3。
4.一种用于在信号传送电路中提供线负载补偿和反射减少的反馈支电路,所述反馈支电路包括:
第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管,所述第一晶体管的第一引线和所述第二晶体管的第二引线在第一节点连接至所述第三晶体管的第三引线,所述第二晶体管的第三引线在第二节点连接至所述第三晶体管的第一引线;并且
反馈电容器,具有在第三节点连接至所述第一晶体管第三引线的第一引线和在第四节点连接至所述第三晶体管第二引线的第二引线。
5.如权利要求4所述的反馈支电路,还包括:
第一电阻器,具有在第五节点连接至所述第二晶体管第一引线的第一引线和连接至所述第二节点的第二引线;
电压电源,具有连接至所述第五节点的正引线;
第二电阻器,具有适合于连接至具有任意选择的负载的输入信号源的第一引线,并且所述第二电阻器的第二引线在所述第三节点连接至所述第一晶体管的所述第三引线;
第三电阻器,具有连接至所述第三节点的第一引线,和连接至所述第五节点的第二引线;
第四电阻器,具有在第六节点连接至所述第一晶体管第二引线的第一引线和连接至地电位的第二引线;并且
二极管,具有连接至所述第四节点的第一引线,和适合于发射输出信号的第二引线,所述输出信号与所述输入信号的所述负载无关。
6.如权利要求4所述的反馈支电路,还包括适合于在所述第三节点连接具有任意选择的负载的输入信号源至所述第一晶体管的所述基极的输入线。
7.如权利要求4所述的反馈支电路,其中所述第一、第二和第三晶体管是双极结晶体管,每个晶体管的所述第一引线是发射极,每个晶体管的所述第二引线是集电极并且每个晶体管的所述第三引线是基极。
8.如权利要求4所述的反馈支电路,其中所述第一、第二和第三晶体管是场效应晶体管,每个晶体管的所述第一引线是漏极,每个晶体管的所述第二引线是源极并且每个晶体管的所述第三引线是栅极。
9.如权利要求4所述的反馈支电路,其中所述反馈电容器具有被选电容,以生成与所述输入信号的所述负载无关的常量上升/下降时间并且减少信号反射,所述反馈电容器的所述上升/下降时间等于所述信号传送电路的传输位时间的分数值,所述位传输时间取决于波特率和最大传输线长。
10.如权利要求4所述的反馈支电路,其中所述分数值等于所述传输位时间的1/3。
11.如权利要求4所述的反馈支电路,其中把多个所述反馈支电路和差分驱动电路相结合。
12.如权利要求11所述的反馈支电路,其中四个所述反馈支电路包括所述多个反馈支电路,所述四个反馈支电路用以下H桥配置来配置,即该H桥配置具有所述四个反馈支电路的具有PNP晶体管的两个和具有所述四个反馈支电路的具有NPN晶体管的剩下两个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680052982.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。