[发明专利]在反应器内安装环氧化催化剂的方法、制备环氧烷或可由环氧烷衍生的化学品的方法和适用于这一方法的反应器

权利要求书

1.在微通道反应器的一个或多个工艺微通道内安装环氧化催化 剂的方法，该方法包括：

在所述工艺微通道的至少一部分壁上沉积第11族金属或第11族 金属阳离子组分，

在沉积第11族金属或第11族金属阳离子组分之前、同时或之后， 在至少一部分相同壁上沉积一种或多种促进剂组分，和

若沉积第11族金属阳离子组分，则还原第11族金属阳离子组分 的至少一部分。

2.权利要求1的方法，其中以第11族金属阳离子组分形式沉积 第11族金属。

3.权利要求2的方法，其中通过下述过程沉积第11族金属：

使所述壁与含第11族金属阳离子组分的液体混合物接触，

除去所述液体混合物的液体组分，和

在沉积第11族金属阳离子组分之前、同时或之后施加还原剂。

4.权利要求1-3任一项的方法，其中所述方法还包括用载体材料 至少部分覆盖工艺微通道的所述壁，然后在载体材料之上或内部沉积 第11族金属或第11族金属阳离子组分。

5.权利要求4的方法，其中所述载体材料是d₅₀范围为0.1-100 微米的粒状材料。

6.权利要求5的方法，其中所述粒状材料的d₅₀范围为0.5-50微 米。

7.权利要求4的方法，其中所述载体材料是能通过ASTM筛子的 粒状材料，所述筛子的开口尺寸为工艺微通道最小尺寸的最多50％。

8.权利要求7的方法，其中所述载体材料是能通过ASTM筛子的 粒状材料，所述筛子的开口尺寸为工艺微通道最小尺寸的最多30％。

9.权利要求1的方法，其中通过下述过程沉积第11族金属：

使所述壁与含分散的第11族金属的液体接触，和除去所述液体， 而将第11族金属留在所述壁上。

10.权利要求1的方法，其中通过气相沉积技术沉积第11族金属。

11.权利要求1-10任一项的方法，其中通过下述过程在至少一部 分壁上沉积第11族金属或第11族金属阳离子组分：

在一个或多个片材的至少一部分上沉积第11族金属或第11族金 属阳离子组分，和

通过组装所述片材制造微通道反应器，以便形成具有沉积在至少 一部分壁上的第11族金属或第11族金属阳离子组分的工艺微通道。

12.权利要求1-11任一项的方法，其中所沉积的第11族金属的 含量范围为10-500kg/m³反应器体积，其中反应器体积是由被环氧化 催化剂占据的微通道部分的截面积和总长度所确定的总体积。

13.权利要求12的方法，其中所沉积的第11族金属的含量范围 为50-400kg/m³反应器体积，其中反应器体积是由被环氧化催化剂占 据的微通道部分的截面积和总长度所确定的总体积。

14.权利要求4-13任一项的方法，其中所述方法包括在工艺微通 道壁的至少部分糙化或波纹化部分上沉积第11族金属或第11族金属 阳离子组分或载体材料，其中相对于由其外部尺寸确定的糙化或波纹 化壁面的表面积，所述糙化或波纹化壁面部分被有效地扩大0.5-10 倍。

15.权利要求1-14任一项的方法，其中所述催化剂包含银作为第 11族金属。

16.权利要求15的方法，其中所述催化剂还包含含选自铼、钨、 钼、铬及它们的混合物中的一种或多种元素的促进剂组分，和还包含 选自锂、钾、铯及它们的混合物中的碱金属。