[发明专利]具有极细间距堆叠的微电子组件有效

专利信息
申请号: 200680053236.5 申请日: 2006-12-19
公开(公告)号: CN101385140A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: B·哈巴;C·S·米切尔 申请(专利权)人: 泰塞拉公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/10;H01L25/065
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈松涛;王 英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 间距 堆叠 微电子 组件
【权利要求书】:

1.一种制造堆叠微电子组件的方法,包括:

提供第一微电子封装,所述第一微电子封装包括第一衬底、导电柱以 及导电迹线,所述第一衬底包括第一电介质层,所述导电柱的末端位于所 述第一电介质层上方且与所述第一电介质层的表面相距一垂直高度,所述 导电迹线沿着所述第一电介质层的所述表面延伸,其中所述导电柱具有沿 垂直方向从所述导电迹线离开延伸的基底,所述柱与所述迹线形成为一体;

提供第二微电子封装,所述第二微电子封装包括第二衬底、导电可熔 块、在所述第二衬底的支撑所述可熔块的表面暴露出来的接触以及导电迹 线,所述第二衬底包括第二电介质层,所述导电可熔块的顶点位于所述第 二电介质层上方且与所述第二电介质层的表面相距一垂直高度,所述导电 迹线从所述接触沿着所述第二电介质层的所述表面延伸;

将微电子元件固定到所述第一或第二衬底中的至少一个的所述表面之 一上,使得所述第一和第二电介质层延伸超出所述微电子元件的边缘,所 述微电子元件界定从所述第一或第二衬底的所述至少一个的固定了所述微 电子元件的所述表面之一延伸的垂直高度;

使所述第一衬底的所述导电柱与所述第二衬底的所述可熔块结合,其 中每个所述导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于所述微电子元件的 垂直高度,

其中所述柱包括在第一行中对准的多个对准柱,所述第一行在一个正 交方向上沿着所述第一衬底的表面远离所述第一衬底的面对所述微电子元 件的面的部分延伸,所述对准柱设置在所述微电子元件的所述边缘中的一 个边缘之外。

2.根据权利要求1所述的方法,其中当使所述可熔块回流时,所述回 流的可熔块吸附到所述导电柱的外表面周围,并且其中来自所述回流的可 熔块的表面张力将所述导电柱拉向所述第二衬底。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述电介质层是柔性的。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述电介质层由聚合物材料构成。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述电介质层是柔性的。

6.根据权利要求1所述的方法,其中柱的高度为50-300μm。

7.一种制造堆叠微电子组件的方法,包括:

提供包括第一电介质层的第一微电子衬底,所述第一微电子衬底具有 导电柱和导电迹线,所述导电柱从所述第一电介质层的底表面延伸,所述 导电迹线从所述导电柱沿着所述第一电介质层的所述底表面延伸,其中通 过蚀刻金属层来形成所述导电柱;

提供包括第二电介质层的第二微电子衬底,所述第二微电子衬底具有 可在所述第二电介质层的顶表面触及的导电块;

在所述第一电介质层的底表面和所述第二电介质层的顶表面中的至少 一个表面上固定至少一个微电子元件,使得所述第一和第二电介质层中的 至少一个延伸超出所述至少一个微电子元件的边缘,其中所述至少一个微 电子元件的高度小于所述导电块之一和所述导电柱之一的组合高度;

使所述导电柱与所述导电块结合,

其中所述柱包括在第一行中对准的多个对准柱,所述第一行在一个正 交方向上沿着所述第一衬底的表面远离所述第一衬底的面对所述至少一个 微电子元件的面的部分延伸,所述对准柱设置在所述至少一个微电子元件 的所述边缘中的一个边缘之外。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述第一和第二电介质层是柔性 的。

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