[发明专利]热电变换组件及其制造方法有效
申请号: | 200680053271.7 | 申请日: | 2006-09-13 |
公开(公告)号: | CN101385153A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 川内康弘;中村孝则 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32;H01L35/34;H01L35/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热电 变换 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种热电变换组件,其特征在于,具备:
p型热电半导体及n型热电半导体,以及
具有由带有绝缘性的多个绝缘层形成的层叠结构的层叠体,
在所述层叠体设置有
收容所述p型热电半导体的至少1个第1收容孔,以及
收容所述n型热电半导体的至少1个第2收容孔,
为了形成由1对所述p型热电半导体与所述n型热电半导体构成的热电变 换元件对,同时还设置有将成对的所述p型热电半导体与所述n型热电半导体 互相串联地电连接的pn间连接导体,
所述第1及第2收容孔分别由相互连接的多个第1及第2贯通孔提供,所 述多个第1及第2贯通孔被设置为在厚度方向上分别贯通特定的多个所述绝缘 层,
所述p型热电半导体及所述n型热电半导体的至少一方,具有性能指数的 峰值温度互相不同的多个部分,所述多个部分沿所述层叠体的层叠方向分布。
2.如权利要求1所述的热电变换组件,其特征在于,
所述p型热电半导体及所述n型热电半导体这两方都具有性能指数的峰值 温度互相不同的所述多个部分。
3.如权利要求1所述的热电变换组件,其特征在于,
在所述层叠体设置有多个所述热电变换元件对。
4.如权利要求3所述的热电变换组件,其特征在于,
在所述层叠体设置有将多个所述热电变换元件对串联连接用的串联布线 导体。
5.如权利要求3所述的热电变换组件,其特征在于,
在所述层叠体设置有将多个所述热电变换元件对并联连接用的并联布线 导体。
6.一种热电变换组件的制造方法,所述热电变换组件具备:
p型热电半导体及n型热电半导体,以及
具有由带有绝缘性的多个绝缘层形成的层叠结构的层叠体,
在所述层叠体设置有
收容所述p型热电半导体的至少1个第1收容孔,以及
收容所述n型热电半导体的至少1个第2收容孔,
为了形成由1对所述p型热电半导体与所述n型热电半导体构成的热电变 换元件对,同时还设置有将成对的所述p型热电半导体与所述n型热电半导体 互相串联地电连接的pn间连接导体,
所述第1及第2收容孔分别由相互连接的多个第1及第2贯通孔提供,所 述多个第1及第2贯通孔被设置为在厚度方向上分别贯通特定的多个所述绝缘 层,
所述热电变换组件的制造方法的特征在于,具备:
准备用于构成所述绝缘层的多个绝缘片的工序,
准备用于形成所述p型热电半导体的p型热电半导体材料及用于形成所述 n型热电半导体的n型热电半导体材料的半导体材料准备工序,
在特定的所述绝缘片设置所述第1及第2贯通孔的工序,
在所述第1贯通孔及所述第2贯通孔分别充填所述p型热电半导体材料及 所述n型热电半导体材料的充填工序,
在特定的所述绝缘片上形成所述pn间连接导体的工序,以及
将多个所述绝缘片层叠来得到所述层叠体的层叠工序。
7.如权利要求6所述的热电变换组件的制造方法,其特征在于,
所述半导体材料准备工序具备:对于所述p型热电半导体材料及所述n型 热电半导体材料的至少一方,为了形成性能指数的峰值温度互相不同的热电半 导体,准备多个种类的热电半导体材料的工序,
所述充填工序具备:对于多个种类的所述各热电半导体材料,向其他的所 述绝缘片的所述贯通孔分别充填所述热电半导体材料的工序,
所述层叠工序具备:将在所述贯通孔中充填了不同种类的所述热电半导体 材料的多个种类的所述绝缘片在同一所述层叠体内混合层叠的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680053271.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:荭草苷标准品的制备方法
- 下一篇:一种产甘露聚糖酶的工程菌株