[发明专利]电流驱动型显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，更特别涉及有机EL显示器或FED等电流驱动型显示装置。

背景技术

近年来，随着对薄型、轻型、可高速响应的显示装置需求的提高，涉及有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器或FED(Field EmissionDisplay：场致发射显示器)的研究开发正积极进行。

对于有机EL显示器中包含的有机EL元件，其外加的电压越高，流过的电流越多，就以越高的亮度发光。但是，有机EL元件的亮度与电压的关系会受驱动时间或周边温度等的影响而容易产生变动。因此，如果对有机EL显示器采用电压控制型的驱动方式，则抑制有机EL元件的亮度偏差将变得非常困难。与之相反，有机EL元件的亮度与电流大致成比例，而该比例关系不易受周边温度等外在因素的影响。因此，对有机EL显示器较好的是采用电流控制型的驱动方式。

另一方面，显示装置的像素电路或驱动电路是利用由非晶硅、低温多晶硅、CG(Continuous Grain：连续晶粒)硅等构成的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)构成的。但是，TFT的特性(例如，阈值电压或迁移率)容易产生偏差。因此，在有机EL显示器的像素电路中设置补偿TFT特性偏差的电路，利用该电路的作用可以抑制有机EL元件的亮度偏差。

在电流驱动型的驱动方式中补偿TFT特性偏差的方法，大致可分为用电流信号控制流经驱动用TFT的电流量的电流模式方法、和用电压信号控制该电流量的电压模式方法。如果使用电流模式方法，则可以补偿阈值电压和迁移率的偏差；如果使用电压模式方法，则只能补偿阈值电压的偏差。

然而，电流模式方法存在以下问题：第1，由于使用非常微量的电流，因此像素电路或驱动电路的设计很困难；第2，由于在设定电流信号期间容易受寄生电容的影响，因此难以大面积化。与之相反，电压模式方法中，寄生电容等的影响很轻微，电路设计也比较容易。另外，迁移率偏差对电流量的影响要比阈值电压偏差对电流量的影响小，迁移率的偏差可以控制在TFT制造工序的程度。因此，即使是采用电压模式方法的显示装置，也可以获得足够好的显示质量。

对于采用电流驱动型驱动方式的有机EL显示器，以往以来已知有以下所示的像素电路。图17是专利文献1中所述的像素电路的电路图。图17所示的像素电路910具备驱动用TFT911、开关用TFT912～914、电容915、916、以及有机EL元件917。像素电路910中包含的TFT都是p沟道型。

像素电路910中，在电源布线Vp(设电位为VDD)与接地之间，串联设置驱动用TFT911、开关用TFT914和有机EL元件917。在驱动用TFT911的栅极端子与数据线Sj之间，串联设置电容915和开关用TFT912。在驱动用TFT911的栅极端子与漏极端子之间设置开关用TFT913，在驱动用TFT911的栅极端子与电源布线Vp之间设置电容916。开关用TFT912的栅极端子与扫描线Gi连接，开关用TFT913的栅极端子与自动调零线AZi连接，开关用TFT914的栅极端子与照明线ILi连接。

图18是像素电路910的时序图。在时刻t0之前，控制扫描线Gi和自动调零线AZi的电位为高电平，照明线ILi的电位为低电平，数据线Sj的电位为基准电位Vstd。在时刻t0，若扫描线Gi的电位变为低电平，则开关用TFT912变成导通状态。然后在时刻t1，若自动调零线AZi的电位变为低电平，则开关用TFT913变成导通状态。由此，驱动用TFT911的栅极端子与漏极端子变为同电位。

然后在时刻t2，若照明线ILi的电位变为高电平，则开关用TFT914变成非导通状态。此时，电流从电源布线Vp经由驱动用TFT911和开关用TFT913，流入驱动用TFT911的栅极端子，驱动用TFT911的栅极端子电位在驱动用TFT911导通状态期间上升。若驱动用TFT911的栅—源间电压变为阈值电压Vth(负值)(亦即，栅极端子电位变为(VDD+Vth))，则变为非导通状态。因此，驱动用TFT911的栅极端子电位上升到(VDD+Vth)。

然后在时刻t3，若自动调零线AZi的电位变为高电平，则开关用TFT913变为非导通状态。此时在电容915上保持驱动用TFT911的栅极端子与数据线Sj的电位差(VDD+Vth—Vstd)。