[发明专利]导电性金属氧化物薄膜的除去方法及装置无效
申请号: | 200680054217.4 | 申请日: | 2006-09-25 |
公开(公告)号: | CN101416283A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 大工博之;井上铁也;椙本孝信 | 申请(专利权)人: | 日立造船株式会社;日立造船精密科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3063 | 分类号: | H01L21/3063;C03C23/00;C25F3/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 冯 雅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 金属 氧化物 薄膜 除去 方法 装置 | ||
1.导电性金属氧化物薄膜的除去方法,其特征在于,将正电极和第1负电极与形成于基材表面的导电性金属氧化物薄膜对向并以非接触状态并排设置,同时在所述第1负电极的前段或后段或前段及后段,将第2负电极在所述导电性金属氧化物薄膜的宽度方向以接触状态设置多个,然后,以在这些正电极、第1负电极、第2负电极和所述导电性金属氧化物薄膜间存在电解液的状态,对所述正电极、第1负电极、第2负电极施加电压,使形成于基材表面的导电性金属氧化物薄膜相对于所述正电极、第1负电极、第2负电极进行移动,使得导电性金属氧化物薄膜在通过第1负电极、第2负电极后通过正电极,藉此利用还原反应除去所述基材表面的导电性金属氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的导电性金属氧化物薄膜的除去方法,其特征在于,所述多个配置的第2负电极间的间隔在所述正电极和第1负电极间的间隔以上,且在所述正电极和第1负电极间的间隔的10倍以下。
3.如权利要求1或2所述的导电性金属氧化物表面的除去方法,其特征在于,所述正电极和第1负电极是将比导电性金属氧化物薄膜的宽幅窄的正电极和第1负电极配置成锯齿状的电极。
4.如权利要求1或2所述的导电性金属氧化物表面的除去方法,其特征在于,所述电解液使用电阻率为102Ω·cm~106Ω·cm的电解液。
5.如权利要求3所述的导电性金属氧化物表面的除去方法,其特征在于,所述电解液使用电阻率为102Ω·cm~106Ω·cm的电解液。
6.导电性金属氧化物薄膜的除去装置,它是实施权利要求1所述的导电性金属氧化物薄膜的除去方法的装置,其特征在于,具备:与形成于基材表面的导电性金属氧化物薄膜对向并呈非接触状态并排设置的正电极和第1负电极;在所述第1负电极的前段或后段或前段及后段,与所述导电性金属氧化物薄膜对向并在导电性金属氧化物薄膜的宽度方向以接触状态配置多个的第2负电极;供给电解液到所述正电极、第1负电极、第2负电极和形成于所述基材表面的导电性金属氧化物薄膜之间的机构,或者储存使所述正电极、第1负电极、第2负电极和基材浸渍于电解液内的电解液的电解液槽,;对所述正电极和第1负电极、第2负电极施加电压的电源;以及使形成于基材表面的导电性金属氧化物薄膜相对于所述正电极、第1负电极、第2负电极进行移动而使得导电性金属氧化物薄膜在通过第1负电极、第2负电极后通过正电极的移动机构。
7.如权利要求6所述的导电性金属氧化物薄膜的除去装置,其特征在于,所述正电极和第1负电极是将比导电性金属氧化物薄膜的宽幅窄的正电极和第1负电极连续配置成锯齿状的电极或将比导电性金属氧化物薄膜的宽幅窄的正电极和第1负电极连续配置成弯曲状的电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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