[发明专利]自动增益控制电路无效

专利信息
申请号: 200680054328.5 申请日: 2006-11-29
公开(公告)号: CN101427463A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 石黑和久 申请(专利权)人: 新泻精密株式会社;株式会社理光
主分类号: H03G3/30 分类号: H03G3/30;H03G3/20
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所 代理人: 王礼华
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 自动增益控制 电路
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种自动增益控制电路,尤其涉及向无线电接收器等的无线通信装置输入强信号时实行用于抑制信号失真的AGC动作的电路。

背景技术

通常,在无线电接收器等的无线通信装置中,设置有用于调整接收信号增益的自动增益控制(Automatic Gain Control,以下简记为“AGC”)电路。射频(Radio Frequency,以下简记为“RF”)AGC电路调节由天线接收的高频信号(RF信号)的增益,将接收信号的电平保持为一定。通过控制由天线阻尼电路实现的衰减量及低噪声放大器(Low Noice Amplifier,以下简记为“LNA”)等的增益,能够实现RF-AGC。

当天线输入信号的电场强度不大于阈值时,RF-AGC电路不工作,接收信号的增益不下降。但是,如果强电场的信号输入到天线,电场强度超过阈值,则RF-AGC电路工作,使接收信号的增益下降,由此不向无线通信设备施加过大的功率。

以往,提出使用数字信号处理器(Digital Signal Processor,以下简记为“DSP”)执行天线阻尼电路和LNA的AGC处理作为数字信号处理的技术(例如,参照专利文献1)。在该专利文献1记载的技术中,分别检测由LNA输出的宽频带的RF信号电平,由中频(Intermediate Frequency,以下简记为“IF”)放大器输出的中频带的IF信号电平,由IF滤波器输出的窄频带的IF信号电平,变换为数字信号,DSP根据各频带的信号电平决定是否调整天线阻尼电路和LNA的增益以及增益调整量。

专利文献1:WO2005/053171号公报

然而,在上述专利文献1记载的技术中,为了检测宽频带的信号电平,使用由LNA输出RF信号。因此,向用于对该RF信号进行A/D变换的AD转换器的输入信号的频率变高。因此,存在必须使用能与高的输入频率对应的特殊的AD转换器的问题。此外,还存在AD转换器的消耗电流增大问题。

发明内容

本发明是为解决这样的问题而作出的,其目的在于,不使用与高的输入频率对应的特殊的AD转换器,能以少的消耗电流执行DSP的AGC处理。

为了解决上述课题,本发明的自动增益控制电路对由频率转换电路输出的宽频带的中间频率信号进行A/D转换,供给数字信号处理部,根据该宽频带的中间频率信号的电平,控制接收的高频信号的增益。

根据如上所述构成的本发明,包含希望波及干扰波二者的宽频带的信号从高频带信号变换为中间频带信号,供给A/D转换部,因此,能降低向A/D转换部的输入信号的频率。因此,不需要与高频率输入对应的特殊的AD转换器,还能减少消耗电流。

附图说明

图1表示实施本发明的自动增益控制电路的无线电接收器的结构示例。

具体实施方式

下面,基于附图说明本发明的一实施形态。图1表示实施本发明的自动增益控制电路的无线电接收器的结构示例。如图1所示,按照本实施形态的无线电接收器包括:天线1、带通滤波器(BPF)2、天线阻尼电路3、LNA4、频率转换电路(MIX)5、BPF6、IF放大器(IFA)7、第一A/D转换电路(ADC1)8、AGC放大器9、第二A/D转换电路(ADC2)10、DSP11、及接口电路12。这些组成元件(除天线1)可以通过例如互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,以下简记为“CMOS”)处理工艺集成在一个半导体芯片上。

BPF2在由天线1接收的广播波信号之中有选择地输出特定频带中的广播波信号。该BPF2具有相对宽的带宽的通频带,使包含希望频带的广播信号通过。天线阻尼电路3根据从接口电路12提供的控制信号以可变地设定的衰减度控制通过BPF 2的高频信号。LNA 4相当于本发明的高频放大电路,对通过BPF 2的高频信号以低噪声放大。根据从接口电路12提供的控制信号控制LNA 4的增益。

当天线输入信号的接收强度不太大时,天线阻尼电路3不工作,不使接收信号电平衰减。LNA 4的增益也被设定为最大增益。但是,当强电场信号输入到天线1时,首先,LNA 4的增益下降(放大增益接近0[dB]),由此,执行接收信号的衰减。即使如此但衰减量仍然不足时,天线阻尼电路3的增益下降(使增益衰减到0[dB]以下)。由此,使得接收信号的电场强度不超过电路的动态范围,改善失真发生方面的性能。

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