[发明专利]棒形半导体装置

权利要求书

1.一种棒形半导体装置，具有受光或发光功能，其特征在于，该棒形半导体装置包括：

棒形的基材，由p型或n型的剖面为圆形的半导体晶构成；

导电层，形成在该基材表层中部与基材的轴心平行的带状部份以外的部份，而且其导电型与上述基材的导电型不同；

圆筒形的pn结面，由上述基材和导电层形成；

带状的第一电极，欧姆性连接上述基材的上述带状部份的表面；以及

带状的第二电极，欧姆性连接包夹上述基材的轴心的第一电极的相反侧的上述导电层的表面。

2.如权利要求1所述的棒形半导体装置，其中，除去上述基材带状的顶部，用来形成带状的平坦面，在该平坦面形成上述带状部份。

3.如权利要求1或2所述的棒形半导体装置，其中，在上述基材和导电层的表面中的第一、第二电极以外的部份，形成有防止反射膜。

4.如权利要求1或2所述的棒形半导体装置，其中，上述基材由p型Si单晶或多晶构成，上述导电层由含有P、Sb或As的n型导电层构成。

5.如权利要求1或2所述的棒形半导体装置，其中，上述基材由n型Si单晶或多晶构成，上述导电层由含有B、Ga或Al的p型导电层构成。

6.如权利要求4所述的棒形半导体装置，其中该棒形半导体装置构建成为接受光进行发电的受光用的装置。

7.如权利要求1或2所述的棒形半导体装置，其中，上述基材由n型GaP单晶或GaAs单晶构成，上述导电层由使Zn热扩散的n型扩散层构成，用来构建成发光二极管。

8.如权利要求1或2项所述棒形半导体装置，其中，上述基材由n型GaAs单晶构成，上述导电层经由对p型GaAs进行扩散、成膜或离子植入而形成，用来构建成发光二极管。

9.如权利要求1或2所述的棒形半导体装置，其中，上述基材由n型SiC单晶构成，上述导电层经由对p型GaN或GaInP进行成膜而形成，用来构建成发光二极管。

10.如权利要求1或2项所述的棒形半导体装置，其中上述pn结面的面积被设定成大于与上述基材的轴心正交的剖面的剖面积。