[发明专利]第III族氮化物单晶及其生长方法有效
| 申请号： | 200680055009.6 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101466878A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宫永伦正;水原奈保;藤原伸介;中畑成二;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在晶体生长容器内生长第III族氮化物单晶的方法，该方 法的特征在于，在晶体生长容器的至少一部分中使用由金属碳化物形 成的多孔体，所述多孔体的孔隙率为15％～70％，
其中在所述晶体生长容器中，所述多孔体的至少一部分表面被由 金属碳化物形成的孔隙率小于0.1％的涂层所覆盖。
2.如权利要求1所述的生长第III族氮化物单晶的方法，其中金 属碳化物中金属对碳的原子比，即金属∶碳，为9∶1～4∶6。
3.如权利要求1或2所述的生长第III族氮化物单晶的方法，其 中所述金属碳化物为TaC或含TaC的复合碳化物。
4.如权利要求1或2所述的生长第III族氮化物单晶的方法，其 中金属碳化物中杂质的含量为500ppm以下。
5.如权利要求1或2所述的生长第III族氮化物单晶的方法，其 特征在于，晶体生长容器内1％～50％的原料气体通过多孔体的孔被排 出至晶体生长容器外。
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