[发明专利]测辐射热仪和制造测辐射热仪的方法

权利要求书

1.一种测辐射热仪，包括：

隔膜(10)；

第一间隔体(150a)；

第二间隔体(150b)，

该隔膜(10)包括电阻层(170)、第一保护层(140)、第二保护层(180)和接 触层(160)，该电阻层(170)和该接触层(160)在该第一保护层(140)和该第二保 护层(180)之间延伸，第一保护层(140)位于隔膜(10)的朝向基底的一侧；

该接触层(160)在朝向基底的一侧包括第一接触区域、第二接触区域， 该第一间隔体(150a)在该第一接触区域通过第一保护层(140)的第一通孔电 接触该接触层(160)，该第二间隔体(150b)在该第二接触区域通过第一保护层 (140)的第二通孔电接触该接触层(160)，且所述第一和第二间隔体(150a)、 (150b)将该隔膜(10)保持为远离该基底预定的距离(198)，且

该接触层(160)由间隙(162)横向截断，使得该接触层(160)被划分为至少 两部分，该接触层的第一部分(160a)包括该第一接触区域，且该接触层的第 二部分(160b)包括该第二接触区域，并且从该第一接触区域至该第二接触区 域在该接触层(160)内不存在直接连接，并且

该电阻层(170)与该接触层(160)的该第一部分(160a)接触，并与该接触 层(160)的该第二部分(160b)接触；

并且其中，所述隔膜被图案化，以使用于热绝缘的第一凸纹(76a)和第 二凸纹(76b)形成在所述隔膜中，并且该第一凸纹(76a)包括与该第一间隔体 (150a)接触的该第一接触区域，且该第二凸纹(76b)包括与该第二间隔体 (150b)接触的该第二接触区域。

2.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：该隔膜(10)横向末端基 本上与该第一间隔体(150a)和该第二间隔体(150b)平齐。

3.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：该预定距离(198)等于红 外波长的四分之一。

4.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：接触层(160)包括层厚， 使得该隔膜(10)的层电阻对应于空气中的电磁波的特征阻抗。

5.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：该基底包括反射器(120)。

6.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：在背离该基底的一侧的 顶视图中，该隔膜(10)包括大致正方形的形状，且其中该第一间隔体(150a) 和该第二间隔体(150b)位于对角顶点处。

7.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中该间隙(162)具有宽度，使 得归因于在该第一接触区域和第二接触区域之间流动的电流而贡献给该测 辐射热仪的测量电阻器的电阻在1kΩ和100MΩ的范围之间。

8.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：如此选择该间隙(162)的 位置，使得从该第一间隔体(150a)至该第二间隔体(150b)的电流在已经经过 一定的距离后，到达该间隙(162)，并且其中所述经过的距离尽可能地等于 由该电流在从间隙(162)至该第二间隔体(150b)的途中所经过的距离。

9.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：该隔膜(10)还包括设置 在该电阻层(170)和该接触层(160)之间的绝缘层(210)，并且其中该电阻层 (170)位于朝向该基底的一侧上。

10.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：该隔膜(10)还包括设置 在该接触层(160)和该电阻层(170)之间的绝缘层(210)，并且其中该接触层 (160)位于朝向该基底的一侧上。

11.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：该电阻层(170)包括非晶 硅或氧化钒。

12.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：该接触层(160)包括氮 化钛。

13.根据权利要求1所述的测辐射热仪，其中：第一间隔体(150a)和/ 或该第二间隔体(150b)包括钨或铜。