[发明专利]双刀双掷射频开关及使用该开关的塔上安装放大器无效
申请号: | 200680055825.7 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN101573830A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 李康铉;李吉镐;梁亨硕 | 申请(专利权)人: | KMW株式会社 |
主分类号: | H01P1/10 | 分类号: | H01P1/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;李家麟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双刀 射频 开关 使用 安装 放大器 | ||
技术领域
本发明涉及一种射频(RF)开关,尤其涉及一种双刀双掷(DPDT)射频 开关,其可以应用到时分双工(TDD)系统中的信号传输/接收端子的传输/接收 信号切换的开关,并且本发明还涉及使用该开关的塔上安装放大器(Tower Mounted Amplifier,TMA)。
背景技术
包括TDD方案的时分传输方案在时间上对同一频率进行划分并且分开使 用划分的频率来传输/接收。也就是说,时分传输方案划分一个帧来传输/接收, 并且通过一个频率来执行双向通信。既然采用这种方案的TDD系统通过相同的 频率根据预定的时间段分开执行传输和接收,用于传输/接收切换的高速射频开 关是尤其必要的。
由于射频开关必须执行高速开关操作,使用诸如pin二极管和场效应晶体 管(FET)之类的半导体器件的开关被利用,而不是机械开关。然而,这种采用 半导体器件的开关难以用作大功率开关,因为半导体不能耐受大功率。
换言之,当大功率施加到该开关时,会产生大量的热。如果不能确保抵抗 热量的足够保护,该开关最终会损坏。进一步,所研发的耐受大功率的射频开 关必须具有单独的制冷器等,因此非常昂贵。另外,制造这样的射频开关也是 困难的。因此,该射频开关主要用于军事目的。
为了解决这个问题,TDD系统采用的一种方法是通过使用循环器 (circulator)而不是射频开关来固定的分离接收信号与传输信号。但是,在使用 循环器的情况下,难以确保足够的隔离来在接收间隙阻挡传输信号。当天线在 发射功率的传输期间由于天线中出现问题而进入开路状态(open state)时,传 输信号进入接收器,因此系统可能出现不正常,或者接收信号的质量可能会严 重劣化。进一步,发生传输无源互调失真(PIMD),并且影响其他通信提供商 的无线电波质量。
发明内容
技术问题
因此,本发明旨在解决上面提及的现有技术中的问题,本发明的目的是提 供一种DPDT射频开关,其能够用于TDD系统的传输/接收切换,以便确保在 传输和接收端子之间的足够隔离,并且提供了一种使用该开关的TMA。
本发明的另一个目的是提供一种DPDT射频开关,其能够用于TDD系统 的传输/接收切换,以便在天线开路(open)情况下,有效地阻止发射功率进入 接收端子,即使在用于控制操作的DC电源中发生异常时也是如此,并且提供 了一种使用该开关的TMA。
本发明的又一个目的是提供一种DPDT射频开关,其能够在大功率下稳定 工作,并且提供了一种使用该开关的TMA。
本发明的又一个目的是提供一种DPDT射频开关,其可以容易地以微波集 成电路(MIC)的形式制造,并且提供了一种使用该开关的TMA。
本发明的又一个目的是提供一种DPDT射频开关,其可以用在大于几十 GHz的高频带以及用在移动通信频带,并且提供了一种使用该开关的TMA。
技术方案
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