[发明专利]半导体器件的制造方法及制造装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

包括：

第一工序，利用设置在腔室内的上部的第一加热单元，仅对在设置于所 述腔室内的半导体衬底的一侧主面的电极上形成的凸块的上部进行加热以 使其熔融，以及

第二工序，接着所述第一工序，通过第二移动单元使设置在所述腔室内 的下部的第二加热单元接近所述半导体衬底的另一侧主面，来使用所述第二 加热单元对所述凸块的下部也进行加热，使所述凸块的整体熔融；

第一移动单元以及所述第二移动单元通过两者的协同动作来驱动所 述第一加热单元以及所述第二加热单元，使得所述第一加热单元和所述 第二加热单元之间的间隔距离保持恒定。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述 第一工序和第二工序是在蚁酸气体环境中进行的。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所 述第一工序以及第二工序之前，利用蚁酸气体对所述半导体衬底进行所述氧 化膜的除去处理，所述蚁酸气体是指，将温度调整为低于所述凸块的熔融温 度且达到形成在所述凸块表面上的氧化膜的还原开始温度附近的温度的蚁 酸气体。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将所 述蚁酸气体环境温度控制为低于所述凸块的熔融温度且在所述氧化膜的还 原开始温度±5℃的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述 凸块是焊料凸块。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述 凸块形成为所述上部比所述下部大的悬垂形状。

7.一种半导体器件的制造装置，其特征在于，包括：

第一加热单元，其设置在腔室内的上部，该第一加热单元对在半导体衬 底的一侧主面的电极上形成的凸块，从该一侧主面侧进行加热以使其熔融，

第二加热单元，其设置在所述腔室内的下部，接着利用第一加热单元的 加热，利用该第二加热单元将所述凸块也从所述半导体衬底的另一侧主面进 行加热，使所述凸块的下部接着上部熔融，

第一移动单元，其使所述第一加热单元在上下方向上移动，以及

第二移动单元，其使所述第二加热单元在上下方向上移动；

所述第一移动单元以及所述第二移动单元通过两者的协同动作来驱动 所述第一加热单元以及所述第二加热单元，使得所述第一加热单元和所述第 二加热单元之间的间隔距离保持恒定。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，所述 第一加热单元以及所述第二加热单元分别独立地或者同时进行加热控制。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，在所 述腔室内，所述第二加热单元设置为与所述第一加热单元相对。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，还包 括支撑单元，该支撑单元在所述腔室内支撑被处理物，并使所述被处理物在 上下方向上移动。

11.根据权利要求7所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，还包 括气体导入单元，该气体导入单元向所述腔室内导入还原性气体。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，所 述第一加热单元将向所述处理腔室内导入了还原性气体时的该处理腔室内 的环境温度，控制为低于所述凸块的熔融温度且在所述氧化膜的还原开始温 度±5℃的范围内。