[发明专利]过压保护装置的基于微变阻器粉体有效
| 申请号： | 200680056032.7 | 申请日： | 2006-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101523521A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | M·霍伊迪斯;L·唐泽尔 | 申请（专利权）人： | ABB研究有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C7/12;H01C7/112 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护装置 基于 变阻器 | ||
1.一种用于产生包含具有非线性电流电压特性的涂敷微变阻器 颗粒的非线性粉体的方法，其特征在于以下产生步骤：
a)将非金属颗粒与所述微变阻器颗粒混合，
b)在所述混合状态，对所述混合物进行热处理，以便将所述非金 属颗粒分解为导电颗粒并将所述导电颗粒接合到所述微变阻器颗粒。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：实现包括混合、分 解和接合的涂敷过程，使得所述微变阻器颗粒的表面仅用所述导电颗 粒部分覆盖。
3.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：
a)执行所述混合过程，直到实现所述非金属颗粒在所述微变阻器 颗粒之中的均质重新分配，和/或
b)在混合期间，具体通过使用磨球来分解所述非金属颗粒的结 块。
4.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于：
a)所述分解温度低于所述微变阻器粉体的烧结或煅烧温度，和/ 或
b)用于分解所述非金属颗粒的所述分解温度低于700℃。
5.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于：
a)所述非金属颗粒包括金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物和 /或金属卤化物。
6.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于：
b)所述非金属颗粒包括氧化金、氧化铂和/或氧化银。
7.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于：
c)所述非金属颗粒包括银化合物或者由其组成。
8.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于：所 述非金属颗粒由在400℃进行热处理3个小时的过氧化银或氧化银 (AgO，Ag2O)组成。
9.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于：所 述非金属颗粒的尺寸小于5μm。
10.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于： 所述非金属颗粒是纳米颗粒，具体来说具有小于300nm的尺寸。
11.如以上权利要求1-2中任一项所述的方法，其特征在于： 所述非金属颗粒的数量相对于所述微变阻器颗粒的数量为0.01 vol％至5vol％。
12.一种具有非线性电气性质的复合物，所述复合物包含依照以 上权利要求中任一项所产生的非线性粉体和基体，所述非线性粉体嵌 入在基体中。
13.一种过电压或场控制装置，所述过电压或场控制装置包含依 照权利要求1-11中任一项所产生的粉体。
14.如权利要求13所述的过电压或场控制装置，其中，所述装 置是电涌放电器或者静电放电保护部件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ABB研究有限公司，未经ABB研究有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680056032.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
