[发明专利]涂布有凸点的半导体晶片的方法无效
申请号: | 200680056544.3 | 申请日: | 2006-12-08 |
公开(公告)号: | CN101595553A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | D·怀亚特;G·达特;A·P·珀瑞兹 | 申请(专利权)人: | 汉高股份两合公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;路小龙 |
地址: | 德国杜*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂布有凸点 半导体 晶片 方法 | ||
1.一种涂布半导体晶片的有源面的方法,所述半导体晶片的有源面具有沉积在其上的焊料凸点,所述方法包括:
(a)提供半导体晶片,其具有正面和与所述正面相对的背面,所述正面是有源的并具有沉积在其上的焊料凸点,
(b)将防护材料施加在所述焊料凸点的顶部,
(c)用涂料涂布所述晶片的所述正面,
(d)硬化所述涂料,以及
(e)任选地,将所述防护材料从所述焊料凸点去除。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述防护材料是蜡。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述防护材料被施加到全部焊料凸点高度的5%和100%之间。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述防护材料的表面能与所述涂料的表面能之间存在至少5mN/m的差别。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述防护材料是非极性的并且所述涂料是极性的。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述防护材料具有在-40℃至300℃之间的熔点。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述防护材料是通过将所述有凸点的晶片上的凸点的顶端浸入用所述防护材料浸透的焊盘中来施加的。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述防护材料是通过将所述晶片上的所述焊料凸点的顶端浸入液体状态的防护材料的池中来施加的。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂料是通过旋涂来涂布的。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂料是通过模版印刷来涂布的。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂料选自双马来酰亚胺、环氧、丙烯酸酯及其组合。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂料是可B阶处理的。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂料是可UV固化的。
14.一种半导体晶片,其具有正面和与所述背面相对的背面,其中所述正面a)是有源的、b)凸起有焊料凸点以及c)用如下方法涂布:
i)将防护材料施加在所述焊料凸点的顶部,
ii)用涂料涂布所述晶片的所述正面,
iii)硬化所述涂料,以及
iv)任选地,熔化和/或蒸发所述防护材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造