[发明专利]具有蚀刻停止层的端面蚀刻脊型激光器

权利要求书

1.一种光子器件，包括：

衬底；

包括所述衬底上的有源层和湿法蚀刻停止层的至少第一外延半导体结构， 其中，在所述结构中形成蚀刻脊条，所述脊条具有在所述停止层处的底部，在 所述结构中制造至少第一蚀刻端面；以及

在所述结构上的至少第一电极，

其中，所述外延半导体结构包括：

所述衬底上的下包覆层；

所述下包覆层上的有源层；

所述有源层上的第一上包覆层；

所述第一上包覆层上的湿法蚀刻停止层；

所述湿法蚀刻停止层上的第二上包覆层；

所述上包覆层上的接触层；

在所述脊条底部处包围所述脊条并延伸至所述蚀刻端面的蚀刻基面； 以及

在所述蚀刻基面上毗邻所述蚀刻端面的壁部，藉此所述脊条在所述端 面处比在所述底部处浅。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述蚀刻停止层是外延沉积的 GaInAsP层。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述蚀刻脊条首先部分通过干 法蚀刻然后再部分通过湿法蚀刻而形成。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底是InP。

5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件是激光器。

6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，所述结构还包括在该结构中制 造的第二蚀刻端面。

7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，所述激光器是边发射激光器。

8.如权利要求6所述的器件，其特征在于，所述激光器是水平腔面发射 激光器。

9.一种光子器件，包括：

衬底；

包括所述衬底上的有源层和湿法蚀刻停止层的至少第一外延半导体结构， 其中，在所述结构中形成蚀刻脊条，所述脊条具有在所述停止层处的底部，在 所述结构中制造至少第一蚀刻端面，所述结构还包括在所述脊条底部处包围所 述脊条并延伸至所述蚀刻端面的蚀刻基面以及在所述蚀刻基面上毗邻所述蚀 刻端面的壁部，藉此所述脊条在所述端面处比在所述底部处浅；以及

在所述结构上的至少第一电极。

10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述蚀刻停止层是 GaInAsP。

11.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述蚀刻脊条首先部分通 过干法蚀刻然后再部分通过湿法蚀刻而形成。

12.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述衬底是InP。

13.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述结构还包括在该结构 中制造的第二蚀刻端面。

14.如权利要求13所述的器件，其特征在于，所述器件是激光器。

15.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述激光器是边发射激 光器。

16.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述激光器是水平腔面 发射激光器。