[发明专利]带有集成气体渗透传感器的封装器件无效

专利信息
申请号: 200680056926.6 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN101632010A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 拉马达斯·森蒂尔·库马尔;A·P·伯登;蔡树仁 申请(专利权)人: 新加坡科技研究局
主分类号: G01N15/08 分类号: G01N15/08;G01N27/12;G01R31/26
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 禇海英;武玉琴
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 带有 集成 气体 渗透 传感器 封装 器件
【权利要求书】:

1.一种封装器件,其包括:

底基板,

电子元件,其布置于所述底基板上并装在保护该电子元件免受湿气和/或氧气侵蚀的封装内部,以及

至少一个气体渗透传感器,其布置于所述底基板上并装在所述封装中,所述气体渗透传感器能够测量气体进入所述封装的渗透,其中,所述至少一个气体渗透传感器的每一个包括:

导电感测元件,其包括湿气和/或氧气敏感材料,其中,所述敏感材料与湿气和/或氧气的反应导致所述感测元件的电阻/电导率的变化,以及

电气连接器,其能够将所述感测元件连接到信号评估单元。

2.如权利要求1所述的器件,其中,所述封装内布置有多个所述气体渗透传感器。

3.如权利要求2所述的器件,其中,所述多个气体渗透传感器以规则的网格布置在所述电子元件周围。

4.如权利要求2或3所述的器件,其中,所述多个气体渗透传感器布置于所述封装的边缘附近。

5.如权利要求4到6的任一项所述的器件,其中,每个所述气体渗透传感器与邻近的传感器隔开至少大约1cm的距离。

6.如权利要求1到5的任一项所述的器件,其中,所述至少一个气体渗透传感器的每一个与所述电子元件隔开大约1μm与大约100μm之间的距离。

7.如权利要求1到6的任一项所述的器件,其中,所述气体渗透传感器布置于所述封装内的未被所述电子元件占据的位置。

8.如权利要求1到7的任一项所述的器件,其中,在所述至少一个气体渗透传感器与所述电子元件之间夹有电绝缘材料。

9.如权利要求8所述的器件,其中,所述电绝缘材料选自于聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚苯乙烯、聚碳酸酯以及聚氯乙烯。

10.如权利要求1到9的任一项所述的器件,其中,所述至少一个气体渗透传感器具有与所述电子元件至少基本上相同的至少一个物理或物理化学性质。

11.如权利要求10所述的器件,其中,所述至少一个物理或物理化学性质选自于下列的一组,该组包括所述至少一个传感器的可以触及的表面的大小、表面积对体积的比以及与湿气和/或氧气的反应性。

12.如权利要求1到11的任一项所述的器件,其中,所述感测元件包括水和/或氧气敏感材料,该材料选自于导电有机聚合物、金属、金属合金、金属氧化物以及它们的混合物和组合。

13.如权利要求12所述的器件,其中,所述感测元件包括选自钙、铁、镁及它们的组合的金属。

14.如权利要求12所述的器件,其中,所述导电的有机聚合物选自于聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、聚对苯撑、聚乙烯吡啶、噻吩-联吡啶共聚物、聚吡啶、聚联吡啶、聚亚苯基有机金属化合物及它们的组合。

15.如权利要求12所述的器件,其中,所述金属氧化物选自于In2O3、SnO2、VO2、CrO2、MoO2、LiMn2O4、Cd2SnO4、CdIn2O4、Zn2SnO4与ZnSnO3、Zn2In2O5以及它们的组合。

16.如权利要求1到15的任一项所述的器件,还包括覆盖所述传感器的所述感测元件的至少一部分的保护层。

17.如权利要求16所述的器件,其中,所述保护层包括选自于金属、金属合金、金属氧化物、金属氧化混合物、金属氮化物、有机聚合物及其组合。

18.如权利要求1到17的任一项所述的器件,还包括涂敷于所述感测元件的至少一个表面的衬垫层。

19.如权利要求18所述的器件,其中,所述衬垫层夹在所述感测元件与所述底基板之间。

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