[发明专利]发光二极管及其荧光粉及有机薄膜层无效
申请号: | 200710000046.3 | 申请日: | 2007-01-08 |
公开(公告)号: | CN101104803A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;H01L33/00 |
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地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 荧光粉 有机 薄膜 | ||
【发明所属技术领域】
本发明系关于一种发光二极管及其荧光粉及有机 薄膜层,尤指一种于成分中加入了铽离子、镓离子、 镱离子和镥离子,使该荧光粉可吸收InGaN半导体异 质结所发出的λ=440~480nm的短波辐射,再辐射出 峰值波长λ=525~595nm的光的发光二极管及其荧光 粉及有机薄膜层。
【先前技术】
发展中的光源,尤其白色光源,是一种多颜色的 混合光,可被人眼感觉为至少包括二种以上波长的混 合光,当人眼同时受红、蓝、绿光的刺激时,或同时 受到蓝光与黄光等互补光线的刺激时均可感受为白 光,故依此原理可制作发出不同颜色的光源。 如白光固体光源的常用技术中,制作方法主要是利用 光线互补的方式,如下列几种:
第一种方法系使用以InGaAlP、GaN与GaP为材质 的三颗固体光源,分别控制通过固体光源的电流而发 出红、绿及蓝光,经透镜将发出的光加以混合而产生 白光。
第二种方法系使用GaN与GaP为材质的二颗固体光源, 其亦分别控制通过固体光源的电流而发出蓝及黄绿光 以产生白光。
但上述二种方式中,若其固体光源之一发生故障, 则将无法得到正常的白光,且因其正向偏压各不相同, 故须多套控制电路,致使成本较高,此皆为实际应用 上的不利因素。
其它如日本日亚化学公司(Nichia Chemical)于 1996年发展出以氮化铟镓蓝光固体光源配合发黄光的 钇铝石榴石荧光物质亦可成为一白光光源,然而其为 利用互补色原理以产生白光,其光谱波长分布的连续 性不如真实的太阳光,只适合作为简单的照明用途。 第四种可产生白光的方案系日本住友电工(Sumitomo Electric Industries,Ltd)研发出使用ZnSe材料的白光固 体光源,其亦利用光线互补的原理产生白色光线。
相较于上述公知技术产生白光的技术,本发明特 别利用黄橙色光固体光源与具有特定成分的荧光粉产 生多样的辐射光源。
【发明内容】
为解决上述公知技术的缺点,本发明的目的是制 造出一种荧光粉,其以钇铝石榴石为基体,铈作激发 剂,其组成中加入了铽离子、镓离子、镱离子和镥离 子,使该荧光粉可吸收InGaN半导体异质结所发出的 λ=440~480nm的短波辐射,再辐射出峰值波长λ =525~595nm的光。
为解决上述公知技术的缺点,本发明的另一目的 是制造一种有机薄膜层,其由聚合物与覆盖在半导体 异质结发光面上的荧光粉的混合物组成。
为解决上述公知技术的缺点,本发明的另一目的 是制造一种发光二极管,其由覆盖有包含所述荧光粉 填充物的有机薄膜层和球面透镜构成,其在2θ=30°时, 光强J=100-200cd,完全光效能η>40lm/w,白光色品 坐标X>0.32,Y>0.31。
为达到上述目的,本发明涉及一种荧光粉,其以 钇铝石榴石为基体,铈作激发剂,其组成中加入了铽 离子、镓离子、镱离子和镥离子,形成化学式为(Y1-x-y-z-p-qGdxTbyYbzLupCeq)3Al5O12的化合物,其中x=0.05~0.9, y=0.001~0.3,z=0.01~0.05,p=0.01~0.2,q=0.0001~0.2。
为达到上述目的,本发明涉及一种有机薄膜层,其 由聚合物覆盖在半导体异质结发光面上,在该聚合物 中填充入如上所述的荧光粉。
为达到上述目的,本发明涉及一种发光二极管, 其由覆盖有包含如上所述的荧光粉填充物的有机薄膜层 和球面透镜构成,该有机薄膜层的轴线的交点与该球 面透镜的焦点相重合。
【实施方式】
本发明揭露一种发光二极管及其荧光粉及有机薄 膜层,且该荧光粉例如但不限于为无机荧光粉,其以钇 铝石榴石为基体,铈(Ce)作激发剂,并于成分中加入了 铽(Tb)离子、镓(Ga)离子、镱(Yb)离子和镥(Lu)离子。
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