[发明专利]存储器及存储器数据读取电路

权利要求书

1.一种存储器数据读取电路，其特征在于，该存储器数据读取电路包括：

一第一位线；

一第二位线；

一放大器，具有一第一输入端、一第二输入端以及一输出端，该第一输入端耦接该第一位线、该第二输入端耦接该第二位线，该放大器是用以根据该第一输入端及该第二输入端所接收的数据于该输出端输出一输出数据；

一第一开关，耦接该第一位线；

一第二开关，耦接该第二位线；

一二极管，具有一阳极，耦接一电压源与一阴极耦接该第一开关与该第二开关；

一数据储存单元；

一字线；

一第一晶体管，具有一第一源极、一第一漏极以及一第一栅极，其中该第一源极耦接该第一位线，该第一漏极耦接该数据储存单元，该第一栅极耦接该字线；以及

一第二晶体管，具有一第二源极、一第二漏极以及一第二栅极，其中该第二源极耦接该第二位线，该第二漏极耦接该数据储存单元，该第二栅极耦接该字线。

2.根据权利要求1所述的存储器数据读取电路，其特征在于，该电压源所提供的电压为该二极管提供的压降的两倍。

3.根据权利要求1所述的存储器数据读取电路，其特征在于，该二极管提供一0.6V至0.8V的压降。

4.根据权利要求3所述的存储器数据读取电路，其特征在于，该电压源所提供的电压为1.2V至1.6V。

5.根据权利要求1所述的存储器数据读取电路，其特征在于，该二极管由一NMOS晶体管组成。

6.根据权利要求1所述的存储器数据读取电路，其特征在于，该二极管由一PMOS晶体管组成。

7.一种存储器，其特征在于，该存储器包括：

多条字线；

多组位线；

多个存储单元，以矩阵方式排列，其中每一存储单元可由对应的该字线与对应的该组位线存取数据；

多个放大器耦接所述多组位线，用以读取并放大存储单元中的数据；

多个二极管，耦接所述多组位线；以及

一电压源，透过所述二极管对所述多组位线进行预先充电。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，每一该组位线包括一第一位线以及一第二位线，每一对应该组位线的该二极管透过一第一开关以及一第二开关耦接该第一位线以及该第二位线。

9.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该二极管提供一0.6V至0.8V的压降。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，该电压源所提供的电压为1.2V至1.6V。

11.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该二极管由一NMOS晶体管组成。

12.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该二极管由一PMOS晶体管组成。