[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，其包括以下步骤：

形成栅极，所述栅极各自具有其中在半导体衬底上层叠栅极绝缘层、第一导电层、介电层、第二导电层和金属硅化物层的结构；

在与所述介电层的退火温度相同或低于所述介电层的退火温度的温度下退火所述金属硅化物层；

在整个表面上形成缓冲氧化物层；和

在所述缓冲氧化物层上形成氮化物层。

2.权利要求1的方法，其中所述介电层具有氧化物层、氮化物层和氧化物层的ONO层叠结构，并且在800至850摄氏度的温度范围内退火。

3.权利要求1的方法，其中所述金属硅化物层的退火温度在750至800摄氏度范围内。

4.权利要求1的方法，其中所述金属硅化物层包括硅化钨层。

5.权利要求4的方法，其中所述硅化钨层的退火过程包括：

在750摄氏度进行的装载步骤，

温度从750摄氏度升高到800摄氏度的升温步骤，

在800摄氏度进行的退火保温步骤，

温度从800摄氏度降低到750摄氏度的降温步骤，

在750摄氏度进行的卸载步骤。

6.权利要求5的方法，其中所述硅化钨层的退火过程在N₂气氛下进行。

7.权利要求1的方法，其在所述金属硅化物层的退火过程以后还包括以下步骤：

在半导体衬底中形成杂质离子注入区；和

形成栅极隔离绝缘层。

8.权利要求1的方法，其中所述氮化物层通过等离子体增强化学气相沉积法形成。

9.权利要求1的方法，其中所述氮化物层在400至730摄氏度的温度范围内形成。

10.权利要求1的方法，其中形成所述氮化物的步骤包括：

在N₂气氛下，压力保持在大气压，在400摄氏度的温度下进行的装载步骤，

在N₂气氛下，压力保持在5Torr，将温度升高到730摄氏度的升温步骤，

在N₂、NH₃和SiH₂Cl₂的混合气氛下，压力保持在0.35Torr，在730摄氏度的温度下进行的沉积步骤，

在N₂气氛下，压力保持在0.35Torr，将温度降低到400摄氏度的降温步骤，和

在N₂气氛下，在将压力缓慢升高到大气压的同时在400摄氏度的温度下进行的卸载步骤。

11.权利要求10的方法，其中：

在所述升温步骤中，所述温度每分钟升高5摄氏度，和

在所述降温步骤中，所述温度每分钟降低3摄氏度。