[发明专利]一种制备高纯镁的方法及装置无效
申请号: | 200710000835.7 | 申请日: | 2007-01-16 |
公开(公告)号: | CN101225477A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 徐河;赵言辉;李学智;黄银善;赵彦学;张志新;谭学林 | 申请(专利权)人: | 维恩克材料技术(北京)有限公司;维恩克(鹤壁)镁基材料有限公司 |
主分类号: | C22B26/22 | 分类号: | C22B26/22;C22B5/16 |
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地址: | 100028北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 高纯 方法 装置 | ||
1.一种制备高纯镁的装置,包括还原罐、还原罐冷端和冷凝器,所述还原罐中装有料球,其特征在于,在所述还原罐中,在所述料球和所述还原罐冷端之间设有杂质捕获器。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器设置在所述还原罐与所述还原罐冷端的交界处。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器由具有多个插槽的支持架和多个板组成,所述多个板分别放置在所述支持架的多个插槽中。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器由陶瓷材料或金属材料制成。
5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器由具有一定间隔的多个板组成,所述多个板之间通过焊接的方式连接。
6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述多个板为陶瓷材料或钢板。
7.如权利要求3至5中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述多个板为圆形或方形。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述多个板为多孔的圆形板。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述料球包含氧化镁、氧化钙、硅铁、萤石。
10.一种使用如权利要求1所述的装置制备高纯镁的方法,包括如下步骤:
在压强为3Pa至20Pa的条件下,将装有料球的还原罐加热至1200℃;
料球中的金属氧化物与硅铁发生反应,放出金属蒸汽;
锰和其它金属蒸汽在杂质捕获器中结晶,同时随镁蒸汽一同流动的杂质在杂质捕获器中被捕获;以及
镁蒸汽经过杂质捕获器进入到冷凝器中结晶,
其中,所述杂质捕获器中的温度高于冷凝器中的温度。
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