[发明专利]一种制备高纯镁的方法及装置无效

专利信息
申请号: 200710000835.7 申请日: 2007-01-16
公开(公告)号: CN101225477A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 徐河;赵言辉;李学智;黄银善;赵彦学;张志新;谭学林 申请(专利权)人: 维恩克材料技术(北京)有限公司;维恩克(鹤壁)镁基材料有限公司
主分类号: C22B26/22 分类号: C22B26/22;C22B5/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100028北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 制备 高纯 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种制备高纯镁的装置,包括还原罐、还原罐冷端和冷凝器,所述还原罐中装有料球,其特征在于,在所述还原罐中,在所述料球和所述还原罐冷端之间设有杂质捕获器。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器设置在所述还原罐与所述还原罐冷端的交界处。

3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器由具有多个插槽的支持架和多个板组成,所述多个板分别放置在所述支持架的多个插槽中。

4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器由陶瓷材料或金属材料制成。

5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述杂质捕获器由具有一定间隔的多个板组成,所述多个板之间通过焊接的方式连接。

6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述多个板为陶瓷材料或钢板。

7.如权利要求3至5中任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述多个板为圆形或方形。

8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述多个板为多孔的圆形板。

9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述料球包含氧化镁、氧化钙、硅铁、萤石。

10.一种使用如权利要求1所述的装置制备高纯镁的方法,包括如下步骤:

在压强为3Pa至20Pa的条件下,将装有料球的还原罐加热至1200℃;

料球中的金属氧化物与硅铁发生反应,放出金属蒸汽;

锰和其它金属蒸汽在杂质捕获器中结晶,同时随镁蒸汽一同流动的杂质在杂质捕获器中被捕获;以及

镁蒸汽经过杂质捕获器进入到冷凝器中结晶,

其中,所述杂质捕获器中的温度高于冷凝器中的温度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维恩克材料技术(北京)有限公司;维恩克(鹤壁)镁基材料有限公司,未经维恩克材料技术(北京)有限公司;维恩克(鹤壁)镁基材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710000835.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top