[发明专利]电路板的加热模块

说明书

技术领域：

本发明涉及一种提升电器设备内部温度的技术领域，尤指一种可散发出适当的热量而使电器设备内的温度提升至可工作范围内，进而使该电器设备能于低温环境中运转的电路板的加热模块。

背景技术：

一般电器设备内部控制电路板上的电子组件，其正常运转的温度约在于0℃～75℃之间，因此在一些温度常为零度以下的寒冷地区，欲使电器设备中的电路板上的各种电子组件能正常的运作，则便须使该电器设备内部维持在一适当的温度范围内。

而早期维持电器设备内部适当温度方法，主要是以保温材料将该电器设备包覆于内，然而电器设备通常具有非常多的接头及控制按键，因此要将其完全包覆不太可能实现，所以其维持温度的效果非常的有限。而目前则是利用于该电器设备中增设一加热装置来改善上述问题，如中国台湾注册号数M265900号的专利所示，利用该加热装置产生热量使电器设备内的整体温度提升至一定值或是靠近电路板上的电子组件，以避免电子组件温度过低。然而，目前的加热装置，如电热片等，其皆设在电路板的外部，因此会较为占用电器设备的空间，进行会使该电器设备的体积因此而须设成较大。

发明内容：

本发明所解决的技术问题是：针对上述现有技术的不足，提供一种可提升电器设备内部的温度，使于低温环境中电器设备内部的电路板上的电子组件仍可正常运转的电路板的加热模块。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种电路板的加热模块，其结构包括一金属氧化物半导体场效晶体管、一直流电源、一电流传感器及一通态电阻控制器；其中该金属氧化物半导体场效晶体管具有一散热片供将该金属氧化物半导体场效晶体管通电时所产生的热量散发至外部；该直流电源提供一穏定电压予该金属氧化物半导体场效晶体管；该电流传感器串接于该金属氧化物半导体场效晶体管与直流电源之间，供侦测流入该金属氧化物半导体场效晶体管的电流强度，该通态电阻控制器并联于该金属氧化物半导体场效晶体管与电流传感器之间，依据该电流传感器所侦测的电流强度调整该金属氧化物半导体场效晶体管的通态电阻值，以使该金属氧化物半导体场效晶体管恒处于将导通而未导通的临界状态，以藉此使该金属氧化物半导体场效晶体管持续产生热量。

如此，便可藉由该加热模块提升电器设备内的温度，以使于低温环境中该电器备内电路板上的电子元件仍可维持正常运转，而且由于该加热模块直接组装于该电路板上，因此较为不占空间，所以便可使该电器设备的体积及重量大幅缩小，而使其符合现今电器设备轻、薄、短、小的趋势。

附图说明：

图1是本发明第一实施例的系统方块图。

图2是本发明第一实施例的电路图。

图3是本发明第一实施例的立体示意图。

图4是N type MOSFET的特性曲线图。

图5是本发明第二实施例的系统方块图。

图6是本发明第三实施例的电路图。

图7是本发明第四实施例的立体示意图。

图8是本发明第五实施例的系统方块图。

图9是本发明第六实施例的系统方块图。

图10是本发明第七实施例的系统方块图。

标号说明：

1加热模块  10晶体管

100散热片  11直流电源

12电流传感器  13R_DS控制器

14导热片

2电路板       20电源电路

21启动电路    22操作系统

3电器设备     30电源

具体实施方式：

请参阅图1-图3所示，为本发明的第一实施例，其指出该加热模块1设于一电路板2上，其中该加热模块1包括：

一金属氧化物半导体场效晶体管10，英文简称为MOSFET，全名为METAL OXIDE SEMICONDUCTORFIELD EFFECT TRANSISTOR，在本说明书中简称为晶体管10(即MOSFET10)，其具有一散热片100供将该晶体管10通电时所产生的热量散发至外部；

一直流电源11，提供一穏定电压予该晶体管10；一电流传感器12，串接于该晶体管10与直流电源11之间，供侦测流入该晶体管10的电流强度；以及

一通态电阻控制器13，即R_DS控制器，其并联于该晶体管10与电流传感器12之间，可依据该电流传感器12所侦测的电流强度调整该晶体管10的通态电阻值R_DS以使该晶体管10恒处于将导通而未导通的临界状态，藉此使该晶体管10持续产生热量。