[发明专利]带引线的电阻器及其制造方法无效
申请号: | 200710001624.5 | 申请日: | 2007-01-09 |
公开(公告)号: | CN101221844A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 高木克己;宫泽直俊 | 申请(专利权)人: | 兴亚株式会社 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C17/30;H01C17/28;H01C17/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 电阻器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及在陶瓷基体表面上形成碳膜等导电性薄膜,在陶瓷基体的两端上嵌入电极帽盖,在上述电极帽盖上焊接引线的带引线的(非片状)电阻器,尤其涉及可以布置在水银灯内部使用的带引线的电阻器及其制造方法。
背景技术
过去,布置在水银灯的玻璃管内的起动电路中,采用带引线的电阻器。水银灯的玻璃管内,起动时形成约400℃的高温,并且向电阻器内通电,所以从带引线的电阻器上产生气体。当该气体的发生量大时,玻璃管内产生模糊,对起动电路造成不良影响等,阻碍正常起动状态。
但是,已知在高温、高湿极恶劣环境中使用的带引线的碳膜电阻器内,在碳膜的一部分被切割的工序之后,附加在100℃~200℃下加热10小时以上的热老化步骤(专利文献1)。根据该专利文献的叙述,通过上述热老化,可以抑制在切割部碳原子结合力减小所引起的电阻值变化,可以减小电阻值变化,提高耐气侯可靠性。
[专利文献1]特开平2-73601号公报
存在的问题
然而,在上述热老化中,布置在水银灯的玻璃管内的带引线的电阻器,在水银灯起动时约达到400℃的高温,所以从抑制发生气体这一点来看是不够好的。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而提出的方案。其目的是提供那种带引线的电阻器布置在水银灯的玻璃管内,水银灯起动时达到约400℃的高温的情况下气体发生量仍然很小的带引线的电阻器及其制造方法。
为了解决上述问题,本发明的带引线的电阻器的制造方法,其特征在于:在陶瓷基体的表面上形成导电性薄膜,在陶瓷基体的两端上嵌入电极帽盖,在电极帽盖上焊接引线,构成电阻器,对该电阻器加热在350℃~500℃的范围内,保持40分~5个小时。希望对电阻器加热的工序在惰性气体中进行。希望该带引线的电阻器把导电性薄膜露出来。
发明的效果
根据上述本发明,对带引线的电阻器在与水银灯内部起动时的温度大致相等的温度,或者更高的温度下进行热处理,这样能够进行充分的脱气处理。因此,在热处理后的产品中,加热到400℃温度的状态保持1个小时的情况下,气体的发生量为1×10-3hPaL以下,可以显著减小气体发生量。这样,可以提供能够不产生或者抑制在水银灯玻璃管内发生模糊等问题的带引线的电阻器,有助于提高水银灯的可靠性。
附图说明
图1是表示涉及本发明的带引线的电阻器的一实施方式的正面图,陶瓷基体的左端部分是表示纵断面的断面图。
图2是表示热处理(脱气处理)的加热温度的曲线图,横坐标表示时间的经过,纵坐标表示加热温度。
图3是表示涉及本发明的带引线的电阻器的制造工序的一实施方式的流程图。
具体实施方式
以下参照附图,详细说明本发明的实施方式。图1表示涉及本发明的带引线的电阻器的一实施方式。
带引线的电阻器11,在圆柱状的陶瓷基体12的表面上形成由碳膜构成的导电性薄膜13。在导电性薄膜13上设置用于微细调整阻值的切割沟槽14。在陶瓷基体12的两端上嵌入电极帽盖15,并使其与导电性薄膜13相导通。在电极帽盖15上,通过焊接部17来固定引线16。这里,电极帽盖15是在加工成帽盖形状的铁的表面上,形成铜镀膜和镍镀膜而制成的。并且,引线16是在铁线材上形成了铜镀膜。
如图所示,带引线的电阻器11没有对通常的电阻器所具有的导电性薄膜13进行覆盖的外涂绝缘树脂层,导电性薄膜露在外面。这是因为水银灯的玻璃管内是由氮气氛密封的氮气氛,所以本来不需要外涂绝缘树脂层,并且也是为了防止外涂绝缘树脂层上产生气体。
带引线的电阻器11,在陶瓷基体12的表面上形成导电性薄膜13,在陶瓷基体的两端上嵌入电极帽盖15,在电极帽盖上焊接引线16,构成电阻器之后,把电阻器放在氮气氛中在350℃~500℃的范围内加热,保持40分~5小时,进行脱气处理(热处理),制成最终电阻器。通过该高温脱气处理,可以获得在加热到400℃温度的状态保持1小时的情况下的气体发生量是1×10-3hPaL以下的、在高温环境下的气体发生量极少的带引线的电阻器。
上述热处理的加热温度,希望采用图2所示的曲线图形。首先,在大约50℃下加热约30分钟,然后,用1小时20分从50℃加热到约400℃,在此状态下保持一小时。然后,用大约3小时等待温度降到50℃,结束热处理工序。
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