[发明专利]平顶凸块结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710001887.6 | 申请日： | 2007-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101241865A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 马俊 | 申请（专利权）人： | 百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 百慕大*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平顶 结构 及其 制造 方法 | ||
1. 一种平顶凸块结构的制造方法，包括：
提供一基板，该基板具有多个接垫与一保护层，其中该保护层具有多个第一开口，且各该第一开口分别暴露出相对应的该接垫的一部分；
在该基板上形成一球底金属材料层，以覆盖该保护层与该保护层所暴露出的该些接垫；
在该保护层所暴露出的该些接垫上方的该球底金属材料层上形成多个平顶凸块，其中各该平顶凸块的底面积小于相对应的该第一开口的底面积，且该些平顶凸块的顶面为平面；以及
图案化该球底金属材料层，以形成多个球底金属层，其中各该球底金属层的底面积大于相对应的该第一开口的底面积。
2. 如权利要求1所述的平顶凸块结构的制造方法，其特征在于，形成该些平顶凸块的步骤包括：
在该球底金属材料层上形成一第一图案化光阻层，且该第一图案化光阻层具有多个第二开口，分别暴露出该保护层所暴露出之该些接垫上方之该球底金属材料层；
在该些第二开口内形成该些平顶凸块；以及
移除该第一图案化光阻层。
3. 如权利要求1所述的平顶凸块结构的制造方法，其特征在于，形成该些球底金属层的步骤包括：
在该球底金属材料层上形成一第二图案化光阻层，其中该第二图案化光阻层覆盖该些平顶凸块，并暴露出部分该球底金属材料层；
图案化该球底金属材料层，以形成该些球底金属层；以及
移除该第二图案化光阻层。
4. 如权利要求1所述的平顶凸块结构的制造方法，其特征在于，在形成该些球底金属层的步骤中，各该球底金属层的底面积大于相对应的该第一开口的底面积。
5. 一种平顶凸块结构，适于配置于一基板上，该基板具有一接垫与一保护层，其特征在于，该保护层具有一开口，暴露出该接垫的一部分，该平顶凸块结构包括：
一球底金属层，配置于该保护层上，并覆盖该保护层所暴露出的该接垫；以及
一平顶凸块，配置于该接垫上方的该球底金属层上，其中该平顶凸块的顶面为平面，而该平顶凸块的底面积小于该开口的底面积，且该球底金属层的底面积大于该开口的底面积。
6. 如权利要求5所述的平顶凸块结构，其特征在于，该平顶凸块的材质包括金。
7. 如权利要求5所述的平顶凸块结构，其特征在于，该接垫的材质包括铝。
8. 如权利要求5所述的平顶凸块结构，其特征在于，该基板包括芯片或晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
