[发明专利]具有集成磁场突变保护的超导磁体低温恒温器

权利要求书

1.一种限制与安装在管状支架上的轴对称超导磁体相关的杂散磁场范围的方法，包括将部件定位在该磁体径向内侧以及将部件定位在该磁体径向外侧的步骤，其中，所述定位于该超导磁体径向内侧的部件具有比所述定位于该超导磁体径向外侧的部件显著更低的周向电导。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在沿超导磁体轴线的半轴长度为4m且半径为2.5m的椭圆体范围内，所述杂散磁场被限制成小于5×10^-4特斯拉。

3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，包括步骤：将一热屏蔽孔管定位在该磁体的径向内侧，将一热屏蔽外管定位在该磁体的径向外侧，所述热屏蔽孔管具有比所述热屏蔽外管显著更低的周向电导。

4.按照权利要求3所述的方法，其特征在于，所述热屏蔽孔管的周向电导小于所述热屏蔽外管的周向电导的1/2。

5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热屏蔽孔管的周向电导小于所述热屏蔽外管的周向电导的1/5。

6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，所述热屏蔽孔管的周向电导小于所述热屏蔽外管的周向电导的百分之五。

7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括步骤：将超导磁体缠绕在一内侧支架上，所述支架由绝缘材料或具有低电导率的材料制成。

8.按照权利要求7所述的方法，其特征在于，所述管状内侧支架由温度为4.2K时电导率小于120MS/m的材料制成。

9.按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述管状内侧支架由LM25制成。

10.按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述管状内侧支架由温度为4.2K时电导率小于50MS/m的材料制成。

11.按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述管状内侧支架由LM27制成。

12.按照权利要求7所述的方法，其特征在于，所述管状内侧支架由Al 5083制成，所述热屏蔽外管由Al 1200制成。

13.按照权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括步骤：在所述超导线圈的径向外侧定位一屏蔽线圈支架，所述屏蔽线圈支架由电导率显著高于所述热屏蔽孔管的材料制成。

14.按照权利要求13所述的方法，其特征在于，所述屏蔽线圈支架由Al 6082制成，所述热屏蔽孔管由Al 5083制成，所述热屏蔽外管由Al 1200制成。

15.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括步骤：布置一不锈钢封壳，以保持超导磁体周围的流体包层。

16.一种轴对称超导磁体组件，其具有定位在超导线圈的径向内侧的热屏蔽孔管以及定位在该超导线圈的径向外侧的热屏蔽外管；

其中，所述热屏蔽孔管由电导率显著低于所述热屏蔽外管的材料制成。

17.按照权利要求16所述的超导磁体组件，其特征在于，所述热屏蔽孔管的周向电导小于所述热屏蔽外管的周向电导的1/2。

18.按照权利要求17所述的超导磁体组件，其特征在于，所述热屏蔽孔管的周向电导小于所述热屏蔽外管的周向电导的1/5。

19.按照权利要求18所述的超导磁体组件，其特征在于，所述热屏蔽孔管的周向电导小于所述热屏蔽外管的周向电导的百分之五。

20.按照权利要求19所述的超导磁体组件，其特征在于，超导磁体缠绕在一管状内侧支架上，所述支架由绝缘材料或具有低电导率的材料制成。

21.按照权利要求20所述的超导磁体组件，其特征在于，所述管状内侧支架由温度为4.2K时电导率小于120MS/m的材料制成。

22.按照权利要求21所述的超导磁体组件，其特征在于，所述管状内侧支架由LM25制成。

23.按照权利要求21所述的超导磁体组件，其特征在于，所述管状内侧支架由温度为4.2K时电导率小于50MS/m的材料制成。

24.按照权利要求23所述的超导磁体组件，其特征在于，所述管状内侧支架由LM27制成。