[发明专利]绝缘结构及其形成方法、以及浅沟槽绝缘结构的形成方法

权利要求书

1.一种绝缘结构的形成方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(a)于基底中形成开口；

(b)沿着该开口顺应性地形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及

(c)于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。

2.根据权利要求1所述的绝缘结构的形成方法，其特征在于，其还包括以下步骤：

沿着所述开口顺应性地于所述以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层之下形成衬层。

3.根据权利要求1所述的绝缘结构的形成方法，其特征在于，形成所述以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层的步骤包括次常压化学气相沉积法。

4.根据权利要求3所述的绝缘结构的形成方法，其特征在于，所述次常压化学气相沉积法的工作压力为300mTorr～700mTorr，工作温度为450℃～600℃。

5.根据权利要求1所述的绝缘结构的形成方法，其特征在于，其还包括以下步骤：

于所述基底上形成垫氧化层，其中所述开口贯穿该垫氧化层；

通过蚀刻工序去除该垫氧化层，其中所述蚀刻工序中，对所述以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层及垫氧化层进行蚀刻的蚀刻速率比为1.4。

6.根据权利要求1所述的绝缘结构的形成方法，其特征在于，形成所述介电层的步骤包括次常压化学气相沉积法。

7.根据权利要求1所述的绝缘结构的形成方法，其特征在于，其还包括以下步骤：

对所述以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层实施退火工序，该退火工序的温度为1000℃，并且维持此温度30分钟。

8.一种浅沟槽绝缘结构的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：

(a)于基底上形成垫氧化层，且于该基底及该垫氧化层中形成开口；

(b)沿着该开口顺应性地形成衬层；

(c)沿着该开口且在该衬层上顺应性地形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层，其中该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层是以次常压化学气相沉积工序形成，该次常压化学气相沉积工序的工作压力为300mTorr～700mTorr，工作温度为450～600℃；以及

(d)于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。

9.根据权利要求8所述的浅沟槽绝缘结构的形成方法，其特征在于，形成所述介电层的步骤包括次常压化学气相沉积法。

10.根据权利要求8所述的浅沟槽绝缘结构的形成方法，其特征在于，其还包括以下步骤：

对所述以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层实施退火工序，该退火工序的温度为1000℃，并且维持此温度30分钟。

11.一种绝缘结构，其特征在于，其包括：

材料层，其沿着基底中的开口顺应性地形成，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及

介电层，其于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成，且该介电层填入该开口中。

12.根据权利要求11所述的绝缘结构，其特征在于，其还包括：

衬层，其顺应性地沿着该开口形成且位于该以TEOS为反应物的氧化层之下。

13.根据权利要求11所述的绝缘结构，其特征在于，所述介电层包括次常压未掺杂硅玻璃层。