[发明专利]薄膜硅太阳能电池的背接触层无效
| 申请号： | 200710002573.8 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101236997A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/075;H01L31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 接触 | ||
1. 一个薄膜光电器件，包含：
a)一个透明导电的前电接触层，该前电接触层包括像掺杂型氧化锡或者掺杂型氧化锌这样的透明导电氧化物，包括氟掺杂的氧化锡(SnO2:F)和铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)；
b)一个单一的p-i-n型光电单元或者多个重叠在一起的p-i-n型光电单元，包括基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜；
c)一个反光的导电背电接触层，其特征在于：依次包括：
i.一个透明导电氧化物薄膜，包括铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)；
ii.一个银薄膜，其厚度小于60纳米；
iii.一个扩散阻挡薄膜，具有良好的导电性，包括铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)，其厚度不超过50纳米；
iv.一个铝薄膜，其厚度大于100纳米。
2. 根据权利要求1所述的薄膜光电器件，其特征在于：所述的薄膜光电器件与一个或多个其它的光电器件并联或串联在一起，而形成一个输出功率更大的光电器件。
3. 根据权利要求1所述的薄膜光电器件，其特征在于：p-i-n型薄膜光电器件的薄膜层由不同的硅和硅合金薄膜构成，这些薄膜的结构是非晶体、纳米晶体、混合相位或异体原子结构。
4. 根据权利要求1所述的薄膜光电器件，其特征在于：所述的铝薄膜被一个或多个其它的金属薄膜所替代，如镍，铜，金这样的金属材料或导电的合金。
5. 根据权利要求1所述的薄膜光电器件，其特征在于：该薄膜光电器件被放置在坚硬基板或柔性衬底之上。
6. 根据权利要求1所述的薄膜光电器件，其特征在于：所述的透明导电氧化物薄膜或扩散阻挡薄膜具有非均匀的化学成分。
7. 根据权利要求1所述的薄膜光电器件，其特征在于：所述的透明导电氧化物薄膜或扩散阻挡薄膜具有非均匀的厚度。
8. 根据权利要求1所述的薄膜光电器件，其特征在于：所述的扩散阻挡薄膜由一个或数个透明导电金属氧化物构成，包括镓或硼掺杂的氧化锌、氧化锡、氧化钛和氧化铟锡(ITO)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京行者多媒体科技有限公司，未经北京行者多媒体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710002573.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于远近光氙气金卤灯的陶瓷件
- 下一篇：一种促进接骨的药物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
