[发明专利]处理晶圆的方法无效
| 申请号： | 200710002699.5 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101230463A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 范振隆 | 申请（专利权）人： | 科林研发股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;王兰凤 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在一反应腔中处理一晶圆的方法，包括下列步骤：
执行一过蚀刻，以便使金属线与线之间有足够深度的氧化层隔离深度；
施加一高偏压、高瓦特的等离子，以便去除所述晶圆表面上的一反应聚合物以及去除所述反应腔表面上的所述反应聚合物；及
执行一除电，以便去除所述晶圆上的静电，然后将所述晶圆传出所述反应腔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子的压力范围在6～12毫托之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子的上部功率范围在300～1200瓦特之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子的下部功率范围在250～900瓦特之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子包括三氯化硼及氩气。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述三氯化硼可被氮气或氧气所取代。
7.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述等离子的时间范围是在5～60秒之间。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述三氯化硼的流量范围是在10～200sccm之间。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述氮气或所述氧气的流量范围是在10～200sccm之间。
10.根据权利要求5所述的方法，其中所述氩气的流量范围是在100～1000sccm之间。
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