[发明专利]利用深池化学反应有选择地回收TFT－LCD玻璃基底的方法

权利要求书

1. 一种使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，包括：

检查处理步骤，用肉眼检查以确认所述玻璃基底的型号、数量和状态；

层去除处理步骤，将各个玻璃基底浸入到含有强酸性或强碱性化学溶液的池中，所述强酸性化学溶液是由10％的NHO₃、25％的HCl以及65％的去离子水混合而成，所述强碱性化学溶液是由10％的KOH、18.5％的MEA、18.5％的DMSO、18％的BDG和35％的去离子水的混合而成，所述池还包括振动发生器，并驱动所述振动发生器振动所述化学溶液并导致化学反应，从而将在所述玻璃基底上形成的柱状间隔物层、ITO层(透明电极)、外涂层、RGB颜色过滤树脂层或者铬黑矩阵层或树脂黑色矩阵层融化去除；以及

后处理步骤，包括：手动地将所述玻璃基底从所述池中取出，并将所述玻璃基底载入到清洗台上，使用去离子水通过喷射淋浴和海绵清洗执行第一冲洗处理，从而去除所述玻璃基底上的化学残留物；手动地将经过所述第一冲洗处理的玻璃基底浸入到包含有机清洗溶液的池中以去除细微的微粒，然后将所述玻璃基底从含有所述有机清洗溶液的池中取出；将所述玻璃基底传送到第三冲洗区域，以及手动地通过喷射淋浴和海绵清洗执行第二冲洗处理，并使用纯净的空气使经过所述第二冲洗处理的玻璃基底干燥，以及对所述玻璃基底执行尾处理，

其中，在执行所述干燥处理之前，手动地将所述玻璃基底载入自动清洗装置，重复地对所述玻璃基底执行高压淋浴清洗和刷洗清洗，以去除非常细小的微粒。

2. 如权利要求1所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，在所述层去除处理步骤中，去除所述柱状间隔物层是通过如下步骤实现的，即，通过将所述玻璃基底浸入到含有强碱性化学溶液的池中，并将所述玻璃基底保持在所述池中，从而使得所述玻璃基底上形成的柱状间隔物层与所述化学溶液进行反应而被融化去除。

3. 如权利要求1所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，在所述层去除处理步骤中，去除所述ITO层是通过如下步骤实现的，即，通过将所述玻璃基底浸入到含有强酸性化学溶液的池中，并将所述玻璃基底保持在所述池中，从而使得所述玻璃基底上形成的ITO层与所述化学溶液进行反应而被融化去除。

4. 如权利要求1所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，在所述层去除处理步骤中，去除所述外涂层是通过如下步骤实现的，即，通过将所述玻璃基底浸入到含有强碱性化学溶液的池中，并将所述玻璃基底保持在所述池中，从而使得所述玻璃基底上形成的外涂层与所述化学溶液进行反应而被融化去除。

5. 如权利要求1所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，在所述层去除处理步骤中，去除所述RGB层是通过如下步骤实现的，即，通过将所述玻璃基底浸入到含有强碱性化学溶液的池中，并将所述玻璃基底保持在所述池中，从而使得所述玻璃基底上形成的RGB层与所述化学溶液进行反应而被融化去除。

6. 如权利要求1所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，在所述层去除处理步骤中，去除所述铬黑矩阵层或树脂黑色矩阵层是通过如下步骤实现的，即，通过将所述玻璃基底浸入到含有强碱性化学溶液的池中，并将所述玻璃基底保持在所述池中，从而使得所述玻璃基底上形成的所述铬黑矩阵层或树脂黑色矩阵层与所述化学溶液进行反应而被融化去除。

7. 如权利要求1所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，所述强碱性化学溶液是用来去除所述柱状间隔物层、所述外涂层膜和所述RGB层的蚀刻溶液。

8. 如权利要求2所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，在70±5℃的温度下执行去除所述柱状间隔物层的处理25±5分钟。

9. 如权利要求3所述的使用深池化学反应方法有选择地回收TFT-LCD玻璃基底的方法，其中，在40±5℃的温度下执行去除所述ITO层的处理20±5分钟。