[发明专利]制程设备组

权利要求书

1.一种制程设备组，其特征在于，包括:

一密闭腔体，包含一气体及至少一闸门，该闸门是用来关闭一形成于该密闭腔体内的开口，该气体包含至少一还原气体、非反应气体或惰性气体；

至少一制程腔室，设置于该密闭腔体内；

一传输装置，设置于该密闭腔体内，以于该闸门与该制程腔室之间传输一基板；以及

至少一阀门，耦接至该密闭腔体，该阀门包括一第一阀门与一第二阀门，当该气体的分子量小于该密闭腔体内该气体的分子量时，该第一阀门的位置相邻于该密闭腔体的顶部区域，当该气体的分子量大于该密闭腔体内该气体的分子量时，该第一阀门的位置则相邻于该密闭腔体的底部区域。

2.根据权利要求1所述的制程设备组，其特征在于，该制程腔室包括至少一金属制程腔室与一覆盖层形成腔室其中之一。

3.根据权利要求2所述的制程设备组，其特征在于，该金属制程腔室包括至少一湿式清洗台、一金属还原湿式工作台、一金属还原干式腔室、一金属电镀槽、一干式蚀刻腔室、一金属研磨设备以及一低介电常数介电层沉积腔室其中之一。

4.根据权利要求2所述的制程设备组，其特征在于，该覆盖层形成腔室是用来形成钴硅化层、钨硅化层、钛硅化层、氮化钛层、钛/氮化钛层、钽层或氮化钽层。

5.根据权利要求1所述的制程设备组，其特征在于，当该密闭腔体内的压力低于一第一预定压力值时，该第一阀门可被操作导入该气体至该密闭腔体内，当该密闭腔体内的该压力高于一第二预定压力值时，该第二阀门可被操作使该气体自该密闭腔体内排出。

6.根据权利要求5所述的制程设备组，其特征在于，该第一预定压力值为1大气压，该第二预定压力值为2.5大气压。

7.根据权利要求1所述的制程设备组，其特征在于，该还原气体包括至少一氢气与一氨气其中之一。

8.根据权利要求1所述的制程设备组，其特征在于，该密闭腔体内的该气体更包括至少一惰性气体与一氮气其中之一。

9.根据权利要求1所述的制程设备组，其特征在于，该密闭腔体内的压力是高于该密闭腔体周围环境的压力。

10.根据权利要求1所述的制程设备组，其特征在于，更包括一遮蔽结构，包含一通道，以该传输装置横跨该闸门与该制程腔室之间，其中该阀门是设置于该遮蔽结构的壁上，该气体是置于该遮蔽结构包围的一区域内。

11.一种制程设备组，其特征在于，包括:

一密闭腔体，包含一气体及至少一闸门，该闸门是用来关闭一形成于该密闭腔体内的开口，该气体包含至少一氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气、氢气与氨气其中之一，该密闭腔体内该气体的压力是高于该密闭腔体周围环境的压力；

至少一金属制程腔室与至少一覆盖层形成腔室，设置于该密闭腔体内；

一传输装置，设置于该密闭腔体内，以于该闸门与所述金属制程腔室与覆盖层形成腔室之间及/或于所述金属制程腔室与覆盖层形成腔室之间传输一基板；

一第一阀与一第二阀，设置该密闭腔体内，其中当该密闭腔体内的压力低于1大气压时，该第一阀可被操作导入该气体至该密闭腔体内，当该密闭腔体内的该压力高于一预定气压时，该第二阀可被操作使该气体自该密闭腔体内排出，当该气体的分子量小于该密闭腔体内该气体的分子量时，该第一阀的位置相邻于该密闭腔体的顶部区域，当该气体的分子量大于该密闭腔体内该气体的分子量时，该第一阀的位置则相邻于该密闭腔体的底部区域；以及

至少一压力表，耦接至该第一阀与该第二阀。

12.根据权利要求11所述的制程设备组，其特征在于，更包括一遮蔽结构，包含一充满该气体的通道，以该传输装置横跨所述腔室之间，其中所述第一阀与第二阀是设置于该遮蔽结构的壁上。

13.一种制程设备组，其特征在于，包括:

一密闭腔体，包含一气体及至少一闸门，该闸门是用来关闭一形成于该密闭腔体内的开口，该气体包含一4％v/v或更低的氢气及一惰性气体或一氮气，该密闭腔体内的压力是高于该密闭腔体周围环境的压力；

至少一铜化学还原设备与至少一覆盖层形成设备，设置于该密闭腔体内；

一传输装置，设置于该密闭腔体内，以于该闸门与该铜化学还原设备之间或于该覆盖层形成设备与该铜化学还原设备之间传输一基板；

一第一阀与一第二阀，设置于该密闭腔体内，其中当该密闭腔体内的压力低于1大气压时，该第一阀可被操作导入该气体至该密闭腔体内，当该密闭腔体内的该压力高于2.5大气压时，该第二阀可被操作使该气体自该密闭腔体内排出，当该气体的分子量小于该密闭腔体内该气体的分子量时，该第一阀的位置相邻于该密闭腔体的顶部区域，当该气体的分子量大于该密闭腔体内该气体的分子量时，该第一阀的位置则相邻于该密闭腔体的底部区域；以及

一压力表，耦接至该第一阀与该第二阀。