[发明专利]制作低驱动电压微抓举式致动器的方法及其结构无效
申请号: | 200710003171.X | 申请日: | 2007-02-25 |
公开(公告)号: | CN101252329A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 洪银树;黄义佑;李彦其;林君颖 | 申请(专利权)人: | 建凖电机工业股份有限公司 |
主分类号: | H02N1/06 | 分类号: | H02N1/06;H02N1/08 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王燕秋 |
地址: | 台湾省高雄市苓*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 驱动 电压 抓举 式致动器 方法 及其 结构 | ||
1. 一种制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于包含以下步骤:
步骤一:在一超低阻值硅基板上沉积一绝缘层,并在第一道微影制程后蚀刻所述绝缘层,裸露出超低阻值硅基板的下电极预定位置;
步骤二:在所述绝缘层上沉积第一层低应力牺牲层,并在第二道微影制程蚀刻定义出锚、微型突点预定位置以及轴衬图案;
步骤三:在所述第一层低应力牺牲层上沉积第二层低应力牺牲层,以修正轴衬最小线宽达1.5μm以下;
步骤四:在第三道微影制程蚀刻定义出锚和下电极预定位置的图案;
步骤五:在所述第二层低应力牺牲层上沉积主结构层,并置入水平炉管进行磷扩散及高温退火制程;
步骤六:在第四道微影制程蚀刻定义出主结构层的图案;
步骤七:在第五道微影制程蚀刻定义出上电极与下电极图案;
步骤八:以湿式蚀刻第一、二低应力牺牲层以释放主结构层。
2. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:所述超低阻值硅基板的阻值为0.001~0.004Ω-cm。
3. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:所述绝缘层为低应力氮化硅薄膜。
4. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:所述第一、二层低应力牺牲层为磷硅玻璃薄膜。
5. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:所述主结构层为低应力多晶硅薄膜。
6. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:所述上、下电极是以电子束蒸镀机蒸镀铬/金。
7. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:该方法可运用于微型风扇马达的结构组装。
8. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:该方法可运用于微散热模块的结构组装。
9. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:该方法可运用于微出力元件的结构组装。
10. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:该方法可运用于微流道系统。
11. 如权利要求1所述制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于:该方法可运用于微光通讯开关。
12. 一种低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于包含:
一超低阻值硅基板;
一绝缘层,沉积于超低阻值硅基板之上;
至少一主结构层,沉积于绝缘层之上;
主结构层下方制作有一个以上的微型突点,以防止黏滞效应。
13. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:所述超低阻值硅基板的阻值为0.001~0.004Ω-cm。
14. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:所述绝缘层为低应力氮化硅薄膜。
15. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:所述主结构层为低应力多晶硅薄膜。
16. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:该结构可运用于微型风扇马达的结构组装。
17. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:该结构可运用于微散热模块的结构组装。
18. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:该结构可运用于微出力元件的结构组装。
19. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:该结构可运用于微流道系统。
20. 如权利要求12所述低驱动电压微抓举式致动器的结构,其特征在于:所述结构可运用于微光通讯开关。
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