[发明专利]金属氧化物半导体元件和半导体结构

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体元件，其特征在于，该金属氧化物半导体元件包括：

一半导体基底；

一栅极堆叠，位于该半导体基底上方；

一间隙壁衬层位于该栅极堆叠的侧壁，且该间隙壁衬层具有一部分位于该基底上方；

一间隙壁，位于该间隙壁衬层上方，其中该间隙壁具有大于300MPa的应力，且该间隙壁包括氮化硅，且其中硅原子数相对于氮原子数的比例大于0.75。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体元件，其特征在于，该间隙壁衬层具有小于40埃的厚度。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体元件，其特征在于，该间隙壁中的应力是为压应力。

4.根据权利要求3所述的金属氧化物半导体元件，其特征在于，更包括掺杂有锑的轻掺杂源极/漏极区。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体元件，其特征在于，该间隙壁更包括氧。

6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体元件，其特征在于，该间隙壁中的应力是为张应力。

7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体元件，其特征在于，更包括一包括硼的轻掺杂源极/漏极区和一包括磷的袋型区。

8.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：

一半导体基底；

一NMOS元件，包括：

一第一栅极堆叠，位于该半导体基底上方；

一第一间隙壁衬层位于该第一栅极堆叠的侧壁，且具有一部分位于该基底上方；

一第一间隙壁，具有第一应力，位于该第一间隙壁衬层上方；

其中该第一间隙壁至少包括第一氮化硅，且该第一氮化硅的硅原子数相对于氮原子数的比例大于0.75；及

一PMOS元件，包括：

一第二栅极堆叠，位于该半导体基底上方；

一第二间隙壁衬层位于该第二栅极堆叠的侧壁，且具有一部分位于该基底上方；

一第二间隙壁，具有第二应力，位于该第二间隙壁衬层上方，其中该第一间隙壁和该第二间隙壁具有不同的组成。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该第一间隙壁衬层和该第二间隙壁衬层具有小于40埃的厚度。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该第二间隙壁包括第二氮化硅，该第二氮化硅的硅原子数相对于氮原子数的比例小于0.75。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该第一间隙壁包括氮氧化硅，且该第二间隙壁包括氮化硅。

12.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该第一应力和该第二应力的强度是大于300MPa。

13.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该第一应力和该第二应力的差距是大于500MPa。

14.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：

一半导体基底；

一NMOS元件，包括：

一第一栅极堆叠，位于该半导体基底上方；

一第一间隙壁衬层位于该第一栅极堆叠的侧壁，且具有一部分位于该基底上方；

一第一间隙壁，位于该第一间隙壁衬层上方，其中该第一间隙壁是为第一氮化硅，且该第一氮化硅的硅的原子数相对于氮的原子数具有一第一比例，其中该第一比例大于0.75；及

一PMOS元件，包括：

一第二栅极堆叠，位于该半导体基底上方；

一第二间隙壁衬层位于该第二栅极堆叠的侧壁，且具有一部分位于该基底上方；

一第二间隙壁，位于该第二间隙壁衬层上方，其中该第二间隙壁是为第二氮化硅，且该第二氮化硅的硅的原子数相对于氮的原子数具有一第二比例，其中该第一比例大于该第二比例。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，该第二间隙壁较该第一间隙壁有较大的张力，且其中该第一间隙壁具有第一应力，该第二间隙壁具有第二应力，该第一应力和该第二应力的差是大于500MPa。

16.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，该第一间隙壁衬层和该第二间隙壁衬层皆具有小于40埃的厚度。