[发明专利]切削工具的DLC镀膜制程无效

专利信息
申请号: 200710003667.7 申请日: 2007-01-23
公开(公告)号: CN101230447A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 黄续镡;周钟霖;宋同庆;赖泰锽;张杰翔 申请(专利权)人: 环宇真空科技股份有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/06;C23C16/26;C23C16/448
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 王燕秋
地址: 台湾省台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 切削 工具 dlc 镀膜
【权利要求书】:

1.一种切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于包含下列各步骤:

a)提供一切削工具以及一真空腔,所述切削工具的刃径在3.175mm以下,所述真空腔具有一真空管路,通过所述真空管路将所述真空腔抽成真空状态;

b)提供一碳源,再以气相沉积方式对所述切削工具表面进行沉积,以形成一类钻碳薄膜。

2.如权利要求1所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤a)中的所述切削工具,预先用超声波去除表面油污并烘干水分。

3.如权利要求1所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤a)中的所述真空腔,抽真空至8×10-3Pa。

4.如权利要求1所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤a)中的所述真空腔,具有一电浆产生器,可对所述切削工具进行电浆离子清洗。

5.如权利要求1所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤a)中的所述真空腔,具有一电热器,以供对所述真空腔内进行加热。

6.如权利要求1所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤b)所述的气相沉积方式,选自物理气相沉积以及化学气相沉积其中的一种。

7.如权利要求6所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤b)所述的气相沉积方式选用物理气相沉积方式进行时,所述碳源为以石墨为靶材原料,并通过一碳离子源蒸发器发射碳离子。

8.如权利要求6所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤b)所述的气相沉积方式,选用化学气相沉积方式进行时,所述碳源为选自以烷类气体以及炔类气体所构成的族群中其中的一种。

9.如权利要求8所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤b)的所述碳源选自C3H8、CH4以及C2H2中的一种。

10.如权利要求1所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤b)的所述类钻碳薄膜,具有钻石键结。

11.如权利要求1所述切削工具的DLC镀膜制程,其特征在于:步骤b)的所述类钻碳薄膜,具有石墨键结以及钻石键结。

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