[发明专利]非易失性存储器

权利要求书

1.一种具有阱区延伸结构的非易失性存储器，包括：

基底，该基底中设置有第一导电型阱区；

多个NAND型存储单元区块，设置于该基底上，且在行方向上成镜像配置，各个这些NAND型存储单元区块包括：

多个存储单元行，这些存储单元行配置成行/列阵列，在列的方向上每隔N行存储单元行(N为正整数)设置有两行虚拟存储单元行，各个这些存储单元行包括：

第二导电型源极区与第二导电型漏极区，设置于该第一导电型阱区中；

两个选择晶体管，设置于该第二导电型源极区与该第二导电型漏极区之间的该基底上；以及

多个存储单元，串联连接于两个选择晶体管之间；

多条选择栅极线，设置于该基底上，在列方向平行排列，各条该选择栅极线电连接该选择晶体管；

多条源极线，设置于该基底上，在列方向平行排列，各该源极线通过源极线插塞与该第二导电型源极区电连接；

多条位线，设置于该基底上，在行方向平行排列并与该第二导电型漏极区电连接，其中分别连接这些虚拟存储单元行的这些位线作为虚拟位线；

多个虚拟选择栅极线，在每相邻两个这些NAND型存储单元区块的这些源极线之间设置有两条虚拟选择栅极线；以及

多个阱区延伸结构，设置于该两条虚拟选择栅极线之间的该基底上，且位于这些虚拟位线下方，并电连接这些虚拟位线与该第一导电型阱区。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中N为256。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该两条虚拟选择栅极线分隔相邻的两个这些NAND型存储单元区块。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中相邻的两个这些NAND型存储单元区块共用这些阱区延伸结构。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中各个这些阱区延伸结构还包括：

第一导电型延伸掺杂区，设置于该两条虚拟选择栅极线之间的该基底中；以及

阱区延伸导体层，设置于该两条虚拟选择栅极线之间的该基底上，经由该第一导电型延伸掺杂区电连接该第一导电型阱区。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中该阱区延伸导体层的材料包括铝、铜、钨或其合金。

7.根据权利要求5所述的非易失性存储器，还包括阱区延伸插塞，设置于该阱区延伸导体层与该虚拟位线之间。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其中该阱区延伸插塞的材料包括钨、铜、铝或掺杂多晶硅

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中各个这些NAND型存储单元区块还包括多条字线，设置于该基底上，在列方向平行排列，各条该字线电连接这些存储单元。