[发明专利]光刻工艺监测标记用光掩模图案及其应用

权利要求书

1.一种光刻工艺监测标记用光掩模图案，包括：

不透光或半透光层，其中形成有至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形开口，以及位于该至少一列扁菱形开口旁的孔；以及

位于该孔中的至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形图形，其材料与该不透光或半透光层相同。

2.权利要求1所述的光刻工艺监测标记用光掩模图案，其中该光刻工艺为i-line(365nm)光刻工艺。

3.权利要求2所述的光刻工艺监测标记用光掩模图案，其中这些扁菱形开口的短轴长度及间隔与这些扁菱形图形相同，但长轴长度大于这些扁菱形图形。

4.权利要求3所述的光刻工艺监测标记用光掩模图案，其中每一扁菱形开口及每一扁菱形图形的短轴长度为0.5μm左右，两相邻扁菱形开口及两相邻扁菱形图形的间距为1.0μm左右，每一扁菱形开口的长轴长度为8.0μm左右，且每一扁菱形图形的长轴长度为4.0μm左右。

5.权利要求1所述的光刻工艺监测标记用光掩模图案，其中这些扁菱形开口的短轴长度及间隔与这些扁菱形图形相同，但长轴长度大于这些扁菱形图形。

6.权利要求1所述的光刻工艺监测标记用光掩模图案，其中

这些扁菱形开口共有4列，其定义出第一矩形，并围绕该孔；并且

该孔中的这些扁菱形图形共有4列，其定义出第二矩形。

7.权利要求6所述的光刻工艺监测标记用光掩模图案，其中该第一矩形、该孔及该第二矩形三者的中心重合。

8.权利要求6所述的光刻工艺监测标记用光掩模图案，其中该孔的形状、该第一矩形及该第二矩形及皆为正方形。

9.一种光刻工艺的监测方法，包括：

在该光刻工艺所使用的光掩模上形成监测标记用光掩模图案，其包括不透光或半透光层，其中有孔及至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形开口，并包括位于该孔中的至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形图形，其材料与该不透光或半透光层相同；以及

在该光掩模上的图案转移至基底上的光致抗蚀剂层之后，检查该光致抗蚀剂层中形成的监测标记中对应该至少一列扁菱形开口的至少一沟槽的边缘及对应该至少一列扁菱形图形的至少一条状光致抗蚀剂图形的边缘是否皆呈锯齿状，如是则表示该光刻工艺的曝光量与聚焦位置符合要求，如否则表示该光刻工艺的曝光量与聚焦位置不符合要求。

10.权利要求9所述的光刻工艺的监测方法，其中该光刻工艺为i-line(365nm)光刻工艺。

11.权利要求10所述的光刻工艺的监测方法，其中这些扁菱形开口的短轴长度及间隔与这些扁菱形图形相同，但长轴长度大于这些扁菱形图形。

12.权利要求11所述的光刻工艺的监测方法，其中每一扁菱形开口及每一扁菱形图形的短轴长度为0.5μm左右，两相邻扁菱形开口及两相邻扁菱形图形之间距为1.0μm左右，每一扁菱形开口的长轴长度为8.0μm左右，且每一扁菱形图形的长轴长度为4.0μm左右。

13.权利要求9所述的光刻工艺的监测方法，其中这些扁菱形开口的短轴长度及间隔与这些扁菱形图形相同，但长轴长度大于这些扁菱形图形。

14.权利要求9所述的光刻工艺的监测方法，其中

这些扁菱形开口共有4列，其定义出第一矩形，并围绕该孔；并且

该孔中的这些扁菱形图形共有4列，其定义出第二矩形。

15.权利要求14所述的光刻工艺的监测方法，其中该第一矩形、该孔及该第二矩形三者的中心重合。

16.权利要求14所述的光刻工艺的监测方法，其中该孔的形状、该第一矩形及该第二矩形及皆为正方形。