[发明专利]芯片保险丝与其制作方法有效
申请号: | 200710003771.6 | 申请日: | 2007-01-24 |
公开(公告)号: | CN101232003A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 王钟雄 | 申请(专利权)人: | 乾坤科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/62 | 分类号: | H01L23/62;H01L21/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜;陈肖梅 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 保险丝 与其 制作方法 | ||
1.一种芯片保险丝,包含:
一基底;
一成对电极,该成对电极彼此分离且分别设置于该基底的两侧;
一电阻层设置于该基底上该成对电极之间,且电性连接该成对电极内的各电极;
一第一切割道设置于该熔断电阻层的一侧;
一第二切割道设置于该电阻层的另一侧,且该第一切割道与第二切割道形成一曲线狭带于该电阻层;以及
至少一第三切割道设置于该电阻层,用以调整该电阻的阻値。
2.如权利要求1所述的芯片保险丝,其中该电阻层的一侧更包含一凸出部分,以及一凹陷部分位于该电阻层相对于的该凸出部分一侧。
3.如权利要求2所述的芯片保险丝,其中该第一切割道以平行该第一切割道所在的该电阻层的一侧的方向切割进该凸出部分,而将该凸出部分切割为不相连的两部分,其中该不相连的两部分彼此间的大小比例依对位误差的程度决定。
4.如权利要求2所述的芯片保险丝,其中该第二切割道更包含一垂直切割道与一平行切割道,该垂直切割道与该平行切割道彼此相连形成一L形的第二切割道。
5.如权利要求4所述的芯片保险丝,其中该垂直切割道以该垂直该第二切割道所在的该电阻层的一侧方向,由该凹陷部分切割进该电阻层。
6.如权利要求4所述的芯片保险丝,其中该平行切割道以该平行该第二切割道所在的该电阻层的一侧方向,切割形成于该电阻层上。
7.如权利要求6所述的芯片保险丝,其中该第一切割道与该第二切割道间距离小于该第二第二切割道与该第一切割道所在的该电阻层的一侧的最短距离,而使该曲线狭带成为一两端较宽而中间较窄的狭带。
8.如权利要求7所述的芯片保险丝,其中该第三切割道设置于该电阻层与该第二切割道位于该电阻层的同一侧。
9.一种制作芯片保险丝的方法,包含:
提供一基底;
形成一玻璃底层于该基底上并覆盖该基底;
形成一电阻层于该玻璃底层上;
形成一成对电极覆盖至少部分该电阻层,该成对电极的电极分别设置于该芯片保险丝的两侧;
形成一第一切割道于该电阻层的一侧,且该第一切割道裸露出该基底;
形成一第二切割道于该电阻层的另一侧,且该第二切割道裸露出该基底,该第一第一切割道与第二切割道形成一弯曲电路于该电阻层上;以及
形成至少一第三切割道设置于该电阻层,用以调整该芯片保险丝的阻値。
10.如权利要求9所述的制作芯片保险丝的方法,其中该电阻层系为一银材质层或是一银钯复合材质层。
11.如权利要求9所述的制作芯片保险丝的方法,其中该电阻层的厚度大约为1~7微米。
12.如权利要求9所述的制作芯片保险丝的方法,其中该形成一成对电极步骤更包含:
形成一第一电极层于该电阻层两侧,并且裸露出该电阻层中间区域;以及
形成一第二电极层于该第一电极层上,并裸露出部分该第一电极层,该第一电极层与第二电极层形成一阶梯形状的成对电极。
13.如权利要求12所述的制作芯片保险丝的方法,其中该第一电极层与该第二电极层的厚度总合大约为20微米。
14.如权利要求9所述的制作熔断电阻的方法,其中该形成第一切割道步骤、该形成第二切割道步骤、与该形成第三切割道步骤系采用激光切割方式。
15.如权利要求14所述的制作芯片保险丝的方法,其中该电阻层的一侧更包含一凸出部分,而电阻层相对于的该凸出部分一侧更包含一凹陷部分。
16.如权利要求15所述的制作芯片保险丝的方法,其中该形成第一切割道步骤以平行该第一切割道所在的该电阻层的一侧的方向切割进该凸出部分,而将该凸出部分切割为不相连的两部分,调整对位误差与去除该电阻层边缘不平整的部分,其中该不相连的两部分彼此间的大小比例依对位误差的程度决定。
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