[发明专利]生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法有效
| 申请号： | 200710003854.5 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101009328A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 胡永中;戴嵩山 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生成 电阻 对准 多晶 硅化物 栅极 台面 接触 mosfet 器件 结构 方法 | ||
【说明书】：
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