[发明专利]电流控制装置有效

专利信息
申请号: 200710003858.3 申请日: 2007-01-09
公开(公告)号: CN101222801A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 赵翰楀;陈弼先;林信彰 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08;G05F1/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 台湾省台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电流 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种电流控制装置,适于控制一发光元件串的电流,其中该发光元件串的其中一端电性连接一第一电位,该电流控制装置包括:

一电流调整单元,电性连接于该发光元件串的另一端与一第二电位之间,用以检测该发光元件串的电流,据以产生一反馈信号,并依据一导通控制信号与一阻抗控制信号去控制该发光元件串与该第二电位之间的阻抗值,进而控制该发光元件串的电流;以及

一控制单元,电性连接至该电流调整单元,用以接收并比较一参考信号与该反馈信号之值,以产生一比较结果,且将该比较结果做电流补偿,及将完成电流补偿后的该比较结果转换成该导通控制信号与该阻抗控制信号。

2.如权利要求1所述的电流控制装置,其特征在于,该控制单元包括:

一误差放大器,电性连接至该电流调整单元,用以接收并比较该参考信号与该反馈信号之值,据以产生该比较结果;

一电流补偿器,电性连接至该误差放大器,用以接收该比较结果,并在将该比较结果做电流补偿后输出;以及

一阻抗控制器,电性连接至该电流补偿器,用以接收该电流补偿器的输出,并将该电流补偿器的输出转换成该导通控制信号与该阻抗控制信号。

3.如权利要求2所述的电流控制装置,其特征在于,该控制单元还包括:

一驱动缓冲器,电性连接至该阻抗控制器,用以接收该导通控制信号,并在缓冲该导通控制信号后将其输出。

4.如权利要求1所述的电流控制装置,其特征在于,该电流调整单元包括:

一MOS晶体管,该MOS晶体管的其中一源/漏极电性连接至该发光元件串的另一端;

一可变阻抗装置,电性连接于该控制单元与该MOS晶体管的栅极之间,用以传送该导通控制信号至该MOS晶体管的栅极,并依据该阻抗控制信号动态调整该可变阻抗装置的电阻值,以使该MOS晶体管依据该导通控制信号与该可变阻抗装置的电阻值而改变导通状态,进而调整该MOS晶体管导通时的阻抗值;以及

一反馈单元,电性连接于该MOS晶体管的另一源/漏极与该第二电位之间,用以检测该发光元件串的电流,并据以产生该反馈信号。

5.如权利要求4所述的电流控制装置,其特征在于,该MOS晶体管为一NMOS晶体管,且该MOS晶体管操作在线性区。

6.如权利要求5所述的电流控制装置,其特征在于,该电流调整单元还包括:

一第一电阻,该第一电阻电性连接于该发光元件串的另一端与该MOS晶体管的栅极之间。

7.如权利要求6所述的电流控制装置,其特征在于,该电流调整单元还包括:

一第一电容,该第一电容电性连接于该第一电阻与该MOS晶体管的栅极之间。

8.如权利要求7所述的电流控制装置,其特征在于,该电流调整单元还包括:

一第二电容,该第二电容电性连接于该MOS晶体管的栅极与该第二电位之间。

9.如权利要求8所述的电流控制装置,其特征在于,该反馈单元包括一第二电阻,该第二电阻电性连接于该MOS晶体管的另一源/漏极与该第二电位之间。

10.如权利要求9所述的电流控制装置,其特征在于,该第一电位为一电源电压。

11.如权利要求10所述的电流控制装置,其特征在于,该第二电位为一接地电压。

12.如权利要求4所述的电流控制装置,其特征在于,该电流调整单元还包括:

一二极管,该二极管的阳极电性连接该MOS晶体管的栅极,该二极管的阴极电性连接该导通控制信号。

13.如权利要求1所述的电流控制装置,其特征在于,该发光元件串由多个发光二极管所组成。

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