[发明专利]电阻型有机存储装置及其制造方法

权利要求书

1. 有机存储装置，其包括第一电极、第二电极和介于第一电极和第二电极之间的有机活性层，其中该有机活性层由导电聚合物和下式1的金属茂化合物的混合物形成：

CpMCp’(1)

其中Cp和Cp’均独立地为未取代的或被选自R和OR的至少一个取代基所取代的环戊二烯基或茚基(其中各R相同或相异，为C_1-20烷基、C_3-20环烷基、C_5-30杂环烷基、C_2-20链烯基、C_6-20芳基、C_5-30杂芳基、C_7-20芳烷基或C_7-30杂芳烷基)；和

M为Fe、Ru或Zr。

2. 权利要求1的有机存储装置，其中金属茂化合物由下面的式2或式3表示：

其中，R₁-R₄彼此相同或相异，独立地为氢原子、C_1-20烷基、C_3-20环烷基、C_5-30杂环烷基、C_2-20链烯基、C_6-20芳基、C_5-30杂芳基、C_7-20芳烷基或C_7-30杂芳烷基，和

M为Fe、Ru或Zr；或者

其中R₁和R₂彼此相同或相异，独立地为氢原子、C_1-20烷基、C_3-20环烷基、C_5-30杂环烷基、C_2-20链烯基、C_6-20芳基、C_5-30杂芳基、C_7-20芳烷基或C_7-30杂芳烷基，和

M为Fe、Ru或Zr。

3. 权利要求1的有机存储装置，其中金属茂化合物是由下面的式4表示的二茂铁化合物：

其中R₁-R₄彼此相同或相异，独立地为氢原子、C_1-20烷基、C_3-20环烷基、C_5-30杂环烷基、C_2-20链烯基、C_6-20芳基、C_5-30杂芳基、C_7-20芳烷基或C_7-30杂芳烷基。

4. 权利要求1的有机存储装置，其中导电聚合物选自聚噻吩、聚乙烯基咔唑、聚苯胺、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基、聚芴和聚乙炔。

5. 权利要求4的有机存储装置，其中导电聚合物选自聚(3-己基噻吩-2，5-二基)、聚(9-乙烯基咔唑)、聚苯胺(翠绿亚胺碱)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基]和聚(9，9-双十二烷基亚芴-2，7-基亚乙炔基)。

6. 权利要求1的有机存储装置，其中导电聚合物和金属茂化合物以约99∶1至约60∶40的比率混合。

7. 权利要求6的有机存储装置，其中导电聚合物和金属茂化合物以约70∶30至约95∶5的比率混合。

8. 权利要求1的有机存储装置，其中第一电极和第二电极由至少一种选自下列的材料制成：金属、金属合金、金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物、有机导体、纳米结构体和晶体。

9. 权利要求8的有机存储装置，其中所述电极由至少一种选自下列的材料制成：金、银、铂、铜、钴、镍、锡、钛、钨、铝和氧化铟锡。

10. 权利要求1的有机存储装置，其还包括：

在第一电极下或第二电极上形成的阻挡层。