[发明专利]优质氧化锡的形成方法无效
| 申请号： | 200710004964.3 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101244894A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;C01G19/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优质 氧化 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一个氧化锡薄膜，它是由氟或硼掺杂的，其制作方法为大气压化学气相沉积法(APCVD)，被沉积在一个与其形成过程相匹配的，譬如是玻璃板的基板上。其特征在于：它的形成过程是由多个显著不同的步骤组成，且每个步骤都使用至少一个不同的提供镀膜原材料的喷射器。所形成的薄膜由数个子层叠加而成，每个子层都具有不同的特性。
2. 根据权利要求1所述的氧化锡薄膜，其特征在于：所述多个显著不同的步骤包括：第一步，基板温度为600℃，所使用的源气体混合物包括四氯化锡(SnCl4)、水蒸气、甲醇和氢氟酸，所形成的第一层氧化锡厚度不超过350纳米，且具有纹理结构和较高的电阻率。第二步，基板温度为550℃，且基板被移到另外一个或多个不同的喷射器之下，所使用的源气体混合物如第一步所述。但是甲醇的含量被减少，同时一些氧气被加入源气体混合物，所形成的第二层氧化锡的纹理依赖于第一步形成的第一层氧化锡，其生长速率低于第一步，厚度不超过550纳米，且其导电率和光透射率都高于第一层氧化锡。
3. 根据权利要求1所述的氧化锡薄膜，其特征在于：在所述第一步中所使用的氢氟酸对四氯化锡的比例低于所述第二步中二者的比例。
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