[发明专利]薄膜太阳能电池的光漫射层

权利要求书

1. 一个p-i-n型光伏器件，它的结构沿光的入射方向依次包括：一个透明防护镀膜；一个光漫射层；一个玻璃基板；一个透明前电极；一个或多个由基于氢化硅的薄膜构成的p-i-n型光伏单元；一个具有光反射性能的背电极，它可以包括一个透明导电氧化物和一个或多个金属薄膜。其特征在于：所述光漫射层是一个氮化硫薄膜，其形成方式为PECVD，且其厚度不超过10微米，其光漫射效率不低于30％。

2. 一个p-i-n型光伏器件，它的结构沿光的入射方向依次包括：一个玻璃基板；一个透明前电极；一个或多个由基于氢化硅的薄膜构成的p-i-n型光伏单元；一个由透明导电物质构成的背电极，包括例如氧化锌的透明导电氧化物；一个光漫射层；一个具有优良光反射性的反射体。其特征在于：所述光漫射层是一个氮化硫薄膜，其形成方式为PECVD，且其厚度不超过10微米，其光漫射效率不低于30％。

3. 根据权利要求1或2所述的p-i-n型光伏器件，其特征在于：所述由氮化硫薄膜构成的光漫射层是用等离子体增强化学气相沉积法形成，所使用的源气体混合物含有氨和硫化氢，所用基板温度不超过300℃。

4. 根据权利要求1或2所述的p-i-n型光伏器件，其特征在于：所述的氮化硫薄膜构成的光漫射层对于红光和红外光具有不低于60％漫射系数。