[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1. 一种发光二极管装置，包括：

导热基板；

第一半导体层，形成于该导热基板之上；

发光层，形成于该第一半导体层上；以及

第二半导体层，形成于该发光层上，其中该第二半导体层的出光面具有多个台阶凸块。

2. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第一半导体层为p型掺杂层，该第二半导体层为n型掺杂层，或者该第一半导体层为n型掺杂层，该第二半导体层为p型掺杂层。

3. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中这些台阶凸块为二元光学凸块，且这些台阶凸块具有2N个阶层，N为正整数。

4. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中这些台阶状凸块分别具有平坦表面或曲形表面。

5. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第二半导体层的这些台阶凸块为轴对称排列、非轴对称排列或不规则排列。

6. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该发光层产生一光束，并射向该第二半导体层的该出光面。

7. 如权利要求6所述的发光二极管装置，其中该光束于射出该出光面所形成的光场形状为三角形、四边形或多边形。

8. 如权利要求6所述的发光二极管装置，其中该光束自该发光层至照射目的物之间形成发光路径，且在该发光路径上设置有一透镜由此调整该光束的光学特性，而使得该发光二极管装置的应用更为广泛。

9. 如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括反射层，其设置于该导热基板与该第一半导体层之间，且该反射层的材料选自铂、金、银、钯、镍、铬、钛及其组合所构成的组。

10. 如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括绝缘层，其设置于该导热基板与该第一半导体层之间，且该绝缘层的材料选自氮化铝或碳化硅。

11. 如权利要求1所述的发光二极管装置，还包括粘着层，其设置于该导热基板与该第一半导体层之间，且该粘着层的材料选自锡膏、锡银膏、银膏及其组合所构成的组。

12. 如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该导热基板的材料选自硅、砷化镓、磷化镓、碳化硅、氮化硼、铝、氮化铝、铜及其组合所构成的组。

13. 一种发光二极管装置的制造方法，包括以下步骤：

形成第一半导体层于导热基板之上；

形成发光层于该第一半导体层上；

形成第二半导体层于该发光层上；以及

移除部分的该第二半导体层，并在其出光面形成多个台阶凸块。

14. 如权利要求13所述的制造方法，其中移除部分该第二半导体层的步骤包括：

形成光致抗蚀剂层于该第二半导体层上；

透过光掩模对该光致抗蚀剂层进行曝光；以及

依据曝光结果移除该光致抗蚀剂层及部分的该第二半导体层，以形成这些台阶凸块。

15. 一种发光二极管装置的制造方法，包括以下步骤：

形成第一半导体层于原始基板上；

形成发光层于该第一半导体层上；

形成第二半导体层于该发光层上；

将导热基板与该第二半导体层结合；

移除该原始基板；以及

移除部分的该第一半导体层，并在其出光面形成多个台阶凸块。

16. 如权利要求13或15所述的制造方法，其中透过该光掩模对该光致抗蚀剂层进行曝光的步骤为灰阶曝光。

17. 如权利要求13或15所述的制造方法，其中这些台阶凸块为二元光学凸块，且这些台阶凸块具有2N个阶层，N为正整数。

18. 如权利要求13或15所述的制造方法，其中这些台阶状凸块分别具有平坦表面或曲形表面。

19. 如权利要求15所述的制造方法，其中于将该导热基板与该第二半导体层结合后，还包含步骤：

翻转该发光二极管装置。

20. 如权利要求15所述的制造方法，其中移除部分该第一半导体层的步骤包括：

形成光致抗蚀剂层于该第一半导体层上；

透过光掩模对该光致抗蚀剂层进行曝光；以及

依据曝光结果移除该光致抗蚀剂层及部分的该第一半导体层，以形成这些台阶凸块。