[发明专利]发光二极管装置及其制造方法无效
申请号: | 200710005500.4 | 申请日: | 2007-02-08 |
公开(公告)号: | CN101241961A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 高旗宏;王宏洲;陈煌坤 | 申请(专利权)人: | 台达电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
1. 一种发光二极管装置,包括:
基板;
至少一发光二极管元件,设置于该基板之上,该发光二极管元件产生一光束;以及
光调变元件,设置于该发光二极管元件的一侧,该光调变元件具有相对设置的第一表面及第二表面,且在该第一表面设置有多个台阶状凸块。
2. 一种发光二极管装置,包括:
基板;
至少一发光二极管元件,设置于该基板的一侧,该发光二极管元件产生一光束;以及
光调变元件,相对该发光二极管元件设置于该基板的另一侧,该光调变元件具有相对设置的第一表面及第二表面,且在该第一表面设置有多个台阶状凸块。
3. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中该光调变元件调整该光束的光场形状及光场强度分布。
4. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中该光调变元件为二元光调变元件。
5. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中这些台阶状凸块呈对称排列、非对称排列或不规则排列。
6. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中该台阶状凸块具有2n个阶层,其中n为正整数。
7. 如权利要求6所述的发光二极管装置,其中这些台阶状凸块分别为二元光学凸块。
8. 如权利要求7所述的发光二极管装置,其中这些台阶状凸块分别具有平坦表面。
9. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中这些台阶状凸块分别具有曲形表面。
10. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中该光调变元件的材料为一透光材料。
11. 如权利要求10所述的发光二极管装置,其中该透光材料选自环氧树脂、光学玻璃、半导体及其组合所构成的组。
12. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中该发光二极管元件包括第一半导体层、发光层及第二半导体层,该发光层设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间。
13. 如权利要求12所述的发光二极管装置,还包括:
一电极对,包括第一接触电极及第二接触电极,该第一接触电极连结于该第一半导体层,该第二接触电极连结于该第二半导体层。
14. 如权利要求13所述的发光二极管装置,其中该光调变元件的该第一表面或该第二表面面对该发光二极管元件而连结于该第二半导体层。
15. 如权利要求14所述的发光二极管装置,还包括:
透明粘贴层,粘贴该光调变元件于该发光二极管元件上,且该透明粘贴层的材料包括环氧树脂。
16. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,还包括:
透明导电层,设置于该发光二极管元件及该光调变元件之间,且该透明导电层的材料选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡及其组合所构成的组。
17. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中该光场形状为三角形、四边形或多边形。
18. 如权利要求1或2所述的发光二极管装置,其中该光束自该发光二极管元件至照射目的物之间形成发光路径,且在该发光路径上设置有一透镜由此调整该光束的光学特性,而使得该发光二极管装置的应用更为广泛。
19. 一种发光二极管装置的制造方法,包括下列步骤:
提供一基板;
形成至少一发光二极管元件于该基板之上,该发光二极管元件产生一光束;以及
提供一光调变元件设置于该发光二极管元件的一侧,该光调变元件具有相对设置的第一表面及第二表面,且在该第一表面设置有多个台阶状凸块。
20. 一种发光二极管装置的制造方法,包括下列步骤:
提供一基板;
形成至少一发光二极管元件于该基板的一侧,该发光二极管元件产生一光束;以及
提供一光调变元件相对该发光二极管元件设置于该基板的另一侧,该光调变元件具有相对设置的第一表面及第二表面,且在该第一表面设置有多个台阶状凸块。
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