[发明专利]发光二极管结构与其制作方法

权利要求书

1. 一种具有硅质载板的发光二极管结构，包含有：

硅质载板，该硅质载板的上表面具有抛物面形状的凹杯结构，并且该凹杯结构底部具有多个孔洞贯穿该硅质载板；

反射层设置于该凹杯结构的上表面；

导电层，填满该凹杯结构底部的该孔洞，并且突出于该孔洞上，其中该导电层突出于该孔洞上的部分为支撑底座；以及

发光二极管设置于该支撑底座的顶端，并且该发光二极管位于该凹杯结构的焦点。

2. 如权利要求1所述的发光二极管结构，另包含有一介电层，位于该导电层与该硅质载板之间。

3. 如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该反射层为金属或光学薄膜，并且与该导电层电学绝缘。

4. 如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该反射层的表面具有微漫射结构。

5. 如权利要求4所述的发光二极管结构，其中该微漫射结构的高低起伏相差约1微米。

6. 一种制作具有硅质载板的发光二极管结构的方法，包含有：

提供硅质载板；

于该硅质载板的下表面制作出多个孔洞；

于该硅质载板的下表面形成导电层，且该导电层填满该孔洞以作为支撑底座；

于该硅质载板的上表面制作出具有抛物面形状的凹杯结构，并使该支撑底座由该凹杯结构的底部突出而外露；

于该凹杯结构的上表面形成反射层；以及

将发光二极管与该支撑底座接合，使该发光二极管位于该凹杯结构的焦点。

7. 如权利要求6所述的方法，另包含有形成该导电层之前，先于该孔洞内形成蚀刻停止层。

8. 如权利要求7所述的方法，其中该蚀刻停止层为氧化层、氮化层或氮氧化硅层。

9. 如权利要求7所述的方法，其中该蚀刻停止层是利用常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体化学气相沉积或高密度等离子体化学气相沉积方式形成。

10. 如权利要求6所述的方法，其中形成该具有该抛物面形状的该凹杯结构的步骤包含有：

利用湿式蚀刻工艺于该硅质载板的上表面制作具有倾斜侧壁的凹杯结构；

利用干式蚀刻工艺将该凹杯结构蚀刻成该抛物面形状，并且曝露出该支撑底座上的该蚀刻停止层；以及

蚀刻该蚀刻停止层至该支撑底座露出。

11. 如权利要求10所述的方法，其中该湿式蚀刻工艺使用氢氧化钾溶液、氢氧化四甲基铵或乙二胺邻苯二酚为蚀刻液。

12. 如权利要求10所述的方法，其中该干式蚀刻工艺包含有反应离子蚀刻工艺或交替蚀刻法的等离子体离子蚀刻工艺。

13. 如权利要求6所述的方法，另包含有在该凹杯结构形成之后，于该凹杯结构的表面制作出微漫射结构。

14. 如权利要求13所述的方法，其中该微漫射结构是利用干式蚀刻工艺所形成。

15. 如权利要求14所述的方法，其中该干式蚀刻工艺包含有反应离子蚀刻工艺或交替蚀刻法的等离子体离子蚀刻工艺。

16. 如权利要求6所述的方法，其中该导电层为金属。

17. 如权利要求6所述的方法，其中该孔洞是利用蚀刻工艺加以形成，且该蚀刻工艺包含有反应离子蚀刻工艺、交替蚀刻法的等离子体离子蚀刻工艺，或使用氢氧化钾溶液、氢氧化四甲基铵或乙二胺邻苯二酚为蚀刻液的湿式蚀刻工艺。