[发明专利]半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，透光面为非研磨面，其表面粗糙度Ra在1.0nm以下，并且该玻璃以质量％表示，含有SiO₂：58～75％、Al₂O₃：0.5～15％、B₂O₃：5～20％、碱金属氧化物：1～20％、碱土类金属氧化物：0～20％以及ZnO：0～10％的基本组成，

并且所述碱金属氧化物中的Li₂O含量相对于固体摄像器件封装体用外罩玻璃为0～3％，所述碱土类金属氧化物中的BaO含量相对于固体摄像器件封装体用外罩玻璃为0～3％。

2.根据权利要求1所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，由下拉法或浮动法成形。

3.根据权利要求2所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，下拉法为溢出下拉法。

4.根据权利要求1所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，液相温度下的玻璃粘度在10^5.2dPa·s以上。

5.根据权利要求1所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，30～380℃的温度范围中的平均热膨胀系数为30～85×10^-7/℃。

6.根据权利要求1所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，α射线放射量在0.01c/cm²·hr以下。

7.根据权利要求1所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，碱溶出量在1.0mg以下。

8.根据权利要求1所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，壁厚为0.05～0.7mm。

9.根据权利要求1所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，密度在2.55g/cm³以下。

10.一种固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，由下拉法或浮动法形成，透光面的表面粗糙度Ra在1.0nm以下，并且该外罩玻璃以质量％表示，含有SiO₂：58～75％、Al₂O₃：0.5～15％、B₂O₃：5～20％、碱金属氧化物：1～20％、碱土类金属氧化物：0～20％以及ZnO：0～10％的基本组成，30～380℃的温度范围中的平均热膨胀系数为30～85×10^-7/℃，液相温度下的玻璃粘度在10^5.2dPa·s以上，

并且所述碱金属氧化物中的Li₂O含量相对于固体摄像器件封装体用外罩玻璃为0～3％，所述碱土类金属氧化物中的BaO含量相对于固体摄像器件封装体用外罩玻璃为0～3％。

11.根据权利要求10所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，α射线放射量在0.01c/cm²·hr以下。

12.根据权利要求10或11所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，玻璃中的U含量在10ppb以下，Th含量在20ppb以下。

13.根据权利要求10所述的固体摄像器件封装体用外罩玻璃，其特征是，As₂O₃的含量小于2000ppm。