[发明专利]半导体器件和提高电熔断器的电阻值的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

绝缘层；以及

电熔断器，其形成在所述绝缘层中并具有比所述绝缘层的线性膨胀系数大的线性膨胀系数，且进一步具有比所述绝缘层的熔点低的熔点。

2.根据权利要求1的半导体器件，

其中，所述电熔断器包括：

主布线；以及

阻挡膜，其与所述主布线和所述绝缘层中的每一个接触，

其中，所述阻挡膜的线性膨胀系数小于所述主布线的线性膨胀系数且大于所述绝缘层的线性膨胀系数，以及

其中，所述阻挡膜的熔点高于所述主布线的熔点且低于所述绝缘层的熔点。

3.根据权利要求2的半导体器件，其中所述主布线包括铜、铝或铁。

4.根据权利要求2的半导体器件，其中所述阻挡膜包括钽膜。

5.根据权利要求2的半导体器件，其中所述阻挡膜包括：

第一钽膜，其与所述绝缘层接触；

氮化钽膜，其与所述第一钽膜接触；以及

第二钽膜，其与所述氮化钽膜和所述主布线接触。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中所述绝缘层包括具有其中形成了所述电熔断器的沟槽的第一绝缘层，以及在所述第一绝缘层和所述电熔断器上方形成的第二绝缘层。

7.根据权利要求6的半导体器件，其中所述第二绝缘层包括SiCN膜、SiN膜、具有SiCN膜和SiN膜的双层结构膜、或具有3或更小的介电常数的低k膜。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中具有比所述主布线的电阻更高的电阻的盖膜形成在所述主布线和所述绝缘层之间。

9.根据权利要求1的半导体器件，其中所述电熔断器由电浮置的导电材料所围绕。

10.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

栅电极，其形成在所述半导体衬底上方；

层间电介质，其覆盖所述栅电极；

精细层，其形成在所述层间电介质上方；

半球形层，其形成在所述精细层上方；

球形层，其形成在所述半球形层上方；以及

电熔断器，其形成在选自所述精细层、所述半球形层和所述球形层中的至少一个中。

11.一种半导体器件，包括：

绝缘层；以及

电熔断器，其形成在所述绝缘层中，且具有包括直线部分和弯曲部分的曲折形状，

在靠近所述弯曲部分的部位之间的距离小于在除了所述靠近所述弯曲部分的部位以外的部位之间的距离。

12.一种增加半导体器件的电熔断器电阻的方法，所述半导体器件包括绝缘层和形成在所述绝缘层中的电熔断器，所述电熔断器具有比所述绝缘层的线性膨胀系数大的线性膨胀系数且进一步地具有比所述绝缘层的熔点低的熔点，所述增加所述电熔断器的电阻的方法包括以下步骤：

将电流供给到所述电熔断器中，由此使所述电熔断器熔融且进一步地在所述绝缘层中产生裂缝；以及

在上述步骤之后，利用毛细现象使所述熔融的电熔断器的一部分被吸收到所述裂缝中，由此在所述电熔断器中形成不连续的部分。

13.根据权利要求12的方法，其中将所述电流作为脉冲波供给到所述电熔断器，并调整所述脉冲波的上升时间，由此产生所述裂缝。

14.一种增加半导体器件的电熔断器电阻的方法，所述半导体器件包括绝缘层和形成在所述绝缘层中的电熔断器，所述电熔断器具有比所述绝缘层的线性膨胀系数大的线性膨胀系数且进一步地具有比所述绝缘层的熔点低的熔点，所述增加所述电熔断器的电阻的方法包括以下步骤：

将电流供给到所述电熔断器，从而利用箍缩效应使所述电熔断器变窄；以及

停止供给所述电流，从而利用所述电熔断器的保持力在所述电熔断器中形成腔。

15.根据权利要求14的方法，其中供给所述电流的步骤以及停止供给所述电流的步骤交替地重复。