[发明专利]用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法

权利要求书

1.用于紫外光探测器的双层减反射膜，其特征在于设有n⁺型4H-SiC衬底，在n⁺型4H-SiC衬底上从下到上依次生长SiO₂层和Al₂O₃层，其中SiO₂层的厚度为d₁＝λ/2n₁，Al₂O₃层的厚度为d₂＝λ/4n₂，其中λ为光波长，n₁、n₂分别为SiO₂、Al₂O₃的折射率。

2.如权利要求1所述的用于紫外光探测器的双层减反射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)衬底的清洗：

a.依次用甲苯、丙酮和乙醇超声清洗至少1遍，再用去离子水冲洗，

b.将冲洗后的衬底放入氢氟酸内浸泡至少1min，

c.将浸泡氢氟酸后的衬底放入浓硫酸煮至少10min，

d.将煮过浓硫酸的衬底依次用一号液和二号液煮至少10min，再用去离子水冲洗干净后用氮气吹干待用，一号液为氨水、过氧化氢和去离子水的混合液，按体积比氨水∶过氧化氢∶去离子水＝1∶2∶5，二号液为盐酸、过氧化氢和去离子水的混合液，按体积比盐酸∶过氧化氢∶去离子水＝1∶2∶5；

2)将蒸发源和清洗后的衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体内；

3)封闭蒸发腔腔体，抽真空，真空度至少3.0×10^-3Pa；

4)预熔蒸发源，同时通氧气，用电子束轰击蒸发源进行镀膜；

5)对蒸发腔放气降温至室温，取出样品。

3.如权利要求2所述的用于紫外光探测器的双层减反射膜的制备方法，其特征在于蒸发源为Al₂O₃和JGS1石英晶体。

4.如权利要求2所述的用于紫外光探测器的双层减反射膜的制备方法，其特征在于封闭蒸发腔腔体后，升温至250～350℃。