[发明专利]一类硫碲锌化合物光敏电阻材料无效
| 申请号： | 200710008889.8 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101293668A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 邹建平;郭国聪;吴科俊;郭胜平;付明来;王明盛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01G9/08 | 分类号： | C01G9/08;C01B19/00;H01L31/0296;H01L31/0272 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一类 硫碲锌 化合物 光敏 电阻 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一类硫碲锌化合物光敏电阻材料，其特征在于：该光敏电阻材料化合物的化学式为ZnTe1-xSx(0＜x＜1)，特点是S元素部分替代Te元素并且S元素占据被替代Te元素的晶格位置，该类化合物为立方晶系，空间群为F43m(No.216)，单胞参数为a＝b＝c＝5.1～6.4，α＝β＝γ＝90°，Z＝4。
2.一种权利要求1的硫碲锌化合物光敏电阻材料的制备方法，其特征在于：该光敏电阻材料采用中高温固相合成法制备。
3.如权利要求2所述的硫碲锌化合物光敏电阻材料的制备方法，其特征在于：所述的中高温固相合成法的相关参数为在真空玻璃管中加热，以40～50℃/h的速率升温至300-600℃，恒温72-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至50℃。
4.一类硫碲锌化合物光敏电阻材料，其特征在于：该光敏电阻材料为ZnTe1-xSx单晶体。
5.一种权利要求4的硫碲锌化合物光敏电阻材料的制备方法，其特征在于：该ZnTe1-xSx单晶体采用布里奇曼方法制备。
6.一类硫碲锌化合物光敏电阻材料，其特征在于：该光敏电阻材料为ZnTe1-xSx薄膜材料。
7.一种权利要求1或4或6的硫碲锌系列化合物的用途，其特征在于：该材料作为光敏电阻材料，用于制备多种光敏器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710008889.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
