[发明专利]一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 200710009111.9 申请日: 2007-06-18
公开(公告)号: CN101070245A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 熊兆贤;李洁;薛昊 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622;C04B35/634;H01L41/187
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 代理人: 马应森
地址: 361005福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 低介电 损耗 cacu sub ti 12 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法,其特征在于其具体步骤为:

1)先将原料碳酸钙、二氧化钛和氧化铜按摩尔比1∶4∶3混合,湿法球磨得混合粉料,湿法球磨至少过80目筛网;

2)将混合粉料烘干,烘干后将混合粉料预烧,预烧的温度为850~1000℃;

3)预烧后的混合粉料再进行球磨,至少过80目筛网、干燥,加入聚乙烯醇,研磨、造粒,得造粒粉;

4)将造粒粉干压成型,再冷等静压成型,得坯体,造粒粉干压成型的压力为100~250MPa,冷等静压成型的压力为100~250MPa;

5)将坯体烧结,然后随炉冷却,得目标产物。

2.如权利要求1所述的一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法,其特征在于预烧保温1~6h。

3.如权利要求1所述的一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法,其特征在于加入聚乙烯醇的量为干燥后混合粉料的7%~10%。

4.如权利要求1所述的一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法,其特征在于烧结的温度为1020~1100℃。

5.如权利要求1所述的一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法,其特征在于在烧结温度下保温2h。

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